【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造诸如IC (集成电路)、MOSFET (M0S场效应晶体管)以及 IGBT (绝缘栅双极晶体管)之类的半导体器件的方法。
技术介绍
近年来，计算机和通信设备在其主要部件中频繁使用集成电路(IC)，在这些IC中将许多晶体管、电阻器等组合来构成电路，并集成在一块芯片上。此类IC中的一种包含功率半导体元件的IC被称为功率IC。IGBT是一种单芯片功率元件，呈现MOSFET的高速开关特性和电压驱动特性以及双极晶体管的低导通电压特性。IGBT的应用正扩展到包括通用逆变器、AC伺服器件、不间断电源(UPS)、开关式电源等的工业领域以及包括微波炉、电饭煲、闪光灯等的家电领域。目前正致力于开发使用新的芯片结构并且呈现低导通电压的下一代器件，以实现应用设备的低功耗和高效率。IGBT的结构包括穿通(PT)型、非穿通(NPT)型以及场阻断(FS)型。除了在某些音频功率放大器中使用P沟道型元件之外，当今量产的几乎所有IGBT都具有η沟道垂直双扩散结构。本说明书也基于η沟道IGBT进行描述。PT型在ρ+型外延基板和η—层(η型活性层)之间具有η.层(η缓冲层)，且η...
【技术保护点】
１．一种制造半导体器件的方法，包括下述步骤：在半导体衬底的第一主面上形成半导体元件的前表面结构；研磨所述半导体衬底的后表面侧的第二主面以将所述半导体衬底的厚度减小至预定厚度；在具有所述预定厚度的所述半导体衬底的第二主面侧形成离子注入层；以及利用激光退火工序来激活所述离子注入层，其中激活所述离子注入层的步骤通过下述步骤来进行：使用多个激光发射器件，每个激光发射器件以预定重复频率和预定脉冲宽度发射激光；以及在由所述预定重复频率确定的第一时间周期中重复激光发射过程，所述过程包括：从所述多个激光发射器件的第一激光发射器件发射第一激光脉冲；在所述第一激光脉冲的末端从第二激光发射器件发...
【技术特征摘要】
2010.06.24 JP 2010-1438251.一种制造半导体器件的方法，包括下述步骤在半导体衬底的第一主面上形成半导体元件的前表面结构；研磨所述半导体衬底的后表面侧的第二主面以将所述半导体衬底的厚度减小至预定厚度；在具有所述预定厚度的所述半导体衬底的第二主面侧形成离子注入层；以及利用激光退火工序来激活所述离子注入层，其中激活所述离子注入层的步骤通过下述步骤来进行使用多个激光发射器件，每个激光发射器件以预定重复频率和预定脉冲宽度发射激光；以及在由所述预定重复频率确定的第一时间周期中重复激光发射过程，所述过程包括从所述多个激光发射器件的第一激光发射器件发射第一激光脉冲；在所述第一激光脉冲的末端从第二激光发射器件发射第二光脉冲；在所述第二激光脉冲的末端从第三激光发射器件发射第三光脉冲；以及逐次地在第(n-1)激光脉冲的末端从第η激光发射器件发射第η 激光脉冲，之后在所述第η激光脉冲的末端从所述第一激光发射器件发射所述第一激光脉冲，其中η是正整数，重复所述激光发射过程，形成具有基本上为CW激光的波形的激光，该激光照射离子注入层以激活所述离子注入层。2.如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在一个激光脉冲的末端和下一个激光脉冲的始端...
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