沟槽型MOS器件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽型MOS器件中栅氧的制备方法，为在栅氧化层生长之前，先进行离子注入工艺在所述沟槽侧壁的硅表面形成氮注入区。采用本发明专利技术的制备方法，使得沟槽侧壁的氧化速度比底部慢，从而底部的栅氧化层比侧壁的栅氧化层厚，能有效地降低MOS器件的栅极和漏极之间的寄生电容，加快电路开关速度，减小电路功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种沟槽型MOS器件的制备方法。
技术介绍
现有沟槽MOS工艺，在栅氧化层生长前没有氮注入的工艺，在栅氧化层生长后，沟 槽内侧壁和底部形成的栅氧化层厚度基本一致，因为侧壁栅氧化层厚度受到器件要求的限 制，使得沟槽底部的栅氧化层厚度也不能过厚，栅极和漏极间的寄生电容也相对较大。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种沟槽型MOS器件的制备方法，它可以优化 所制备的沟槽型MOS器件的性能。为解决上述技术问题，本专利技术的沟槽型MOS器件的制备方法，其特征在于在刻蚀 形成沟槽之后，先进行离子注入工艺在所述沟槽侧壁的硅表面形成氮注入区，之后进行栅 氧的生长。本专利技术的制备方法，通过在沟槽侧壁注入氮，有氮注入的沟槽侧壁的栅氧层生长 速度比较慢，而沟道底部没有氮注入因此生长速度比较快，因而最终形成沟槽内底部的栅 氧化层厚度厚于沟槽侧壁栅氧化层的厚度的形貌，从而既满足了器件的要求，又能有效地 降低了 MOS器件的栅极和漏极之间的寄生电容，加快电路开关速度，减小电路功耗。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图1是传统的沟槽型MOS器件的结构示意图；图2是采用本专利技术的方法制备的沟槽型MOS器件的结构示意图；图3是实施本专利技术的制备方法中的步骤沟槽侧壁注入的示意图；图4是实施本专利技术的制备方法中沟槽侧壁注入后的结构示意图；图5是实施本专利技术的制备方法中栅氧生长后的结构示意图。具体实施例方式常规的沟槽型MOS器件的结构如图1所示，沟槽底部和沟槽侧壁的栅氧化层厚度 基本一致。而采用本专利技术的制备方法所制备的沟槽MOS器件结构如图2所示，沟槽底部栅氧化层比侧壁栅氧化层厚。本专利技术的沟槽型MOS器件的制备方法，为在栅氧化层成长前，进行氮离子注入到 沟槽侧壁硅表面，注入角度为恰好能注入到沟槽侧壁而不注入到沟槽底部，其余工艺步骤 跟传统沟槽MOS相同。主要工艺步骤如下在栅氧化层生长前，做全面的大角度氮注入(见图3)，在沟槽 侧壁表面形成氮注入区(见图4)，但沟槽底部没有氮注入。注入工艺中氮的注入剂量为IO11 IO"5原子/cm2，注入能量为1 500KeV，氮离子束的注入角度为1 89度。之后 按正常流程生长栅氧化层，因沟槽侧壁会因为氮注入的影响，使得形成的栅氧化层速度比 较慢，而沟槽底部因为没有进过氮注入，形成栅氧化层的速度比较快，最终形成如图2中虚 线框所示的沟槽底部栅氧化层厚度大于沟槽侧壁形成的栅氧化层厚度的形貌。之后的工艺 步骤跟传统沟槽MOS相同。权利要求1.一种沟槽型MOS器件的制备方法，其特征在于在栅氧化层生长之前，先进行离子注 入在所述沟槽侧壁的硅表面形成氮注入区。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述离子注入中，氮的注入剂量为 IO11 IO"5原子/cm2，注入能量为1 500KeV，氮离子束的注入角度为1 89度。全文摘要本专利技术公开了一种沟槽型MOS器件中栅氧的制备方法，为在栅氧化层生长之前，先进行离子注入工艺在所述沟槽侧壁的硅表面形成氮注入区。采用本专利技术的制备方法，使得沟槽侧壁的氧化速度比底部慢，从而底部的栅氧化层比侧壁的栅氧化层厚，能有效地降低MOS器件的栅极和漏极之间的寄生电容，加快电路开关速度，减小电路功耗。文档编号H01L21/28GK102130004SQ201010027319公开日2011年7月20日 申请日期2010年1月20日 优先权日2010年1月20日专利技术者张智侃, 金勤海 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种沟槽型ＭＯＳ器件的制备方法，其特征在于：在栅氧化层生长之前，先进行离子注入在所述沟槽侧壁的硅表面形成氮注入区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金勤海，张智侃，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31