【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种真空镀膜设备。
技术介绍
真空镀膜是指在真空室内，在一定的压力、温度和反应物状态等条件下，通过化 学、物理等方法将生成物沉积到目标物上的技术。真空镀膜的方法有很多种，比如真空蒸 镀、化学气相沉积、物理气相沉积等。请参考图1，图1为现有技术中第一种典型的真空镀膜设备的结构示意图。真空镀膜设备包括进气阀门11、密闭的真空腔体12、压力传感器13、压力控制阀 14、截止阀15、真空泵16以及管路等；其中，真空泵16主要用于抽出真空腔体12中的气体， 使真空腔体12的内部形成真空；压力传感器13主要用于测量真空腔体12中的压力，以便 对真空腔体12的压力进行控制；截止阀15主要用于断开或者连接真空腔体12和真空泵 16;压力控制阀14主要用于改变真空腔体12内部的压力，压力控制阀14的种类很多，主要 有蝶阀、摆阀和针阀等，它可以通过改变气流流通的截面面积，增大或者减小气流的流通阻 力，进而改变气体的流量，实现真空腔体12内的压力的改变。在加工过程中，工艺气体经过进气阀门11进入真空腔体12，在真空腔体12内向目 标物上进行沉积...
【技术保护点】
一种真空镀膜设备，包括真空腔体（２２）和用于控制真空腔体（２２）内部压力的压力调节部件（２４），所述真空腔体（２２）和所述压力调节部件（２４）之间连接有沉积装置（２７），其特征在于，所述沉积装置（２７）包括沉积腔体（２７１）和位于所述沉积腔体（２７１）内的阻隔部件，所述阻隔部件与所述沉积腔体（２７１）的侧壁形成弯曲的气流通道。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姚立强，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11
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