SiGe异质结双极晶体管的发射极制作工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种SiGe异质结双极晶体管的发射极制作工艺方法，包括如下步骤：(1)采用原位掺杂生长多晶，该原位掺杂的多晶以As和P作为掺杂元素一起掺杂；(2)多晶生长完成后，冲水擦片进行清洗；(3)表面淀积一层氧化膜；(4)注入As和P；(5)去除表面的氧化膜；(6)快速热退火充分激活掺杂元素，将充分激活的多晶作为发射极。本发明专利技术在传统的SiGe异质结双极晶体管的E-B结(发射极-基极)基础上，通过优化发射极工艺，进一步提高发射效率，改善放大系数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种SiGe异质结双极晶体管的 发射极制作工艺方法。
技术介绍
在射频应用中，需要越来越高的器件特征频率，RFCMOS (射频互补金属氧化物半导 体)虽然在先进的工艺技术中可实现较高频率，但还是难以完全满足射频要求，如很难实 现40GHz以上的特征频率，而且先进工艺的研发成本也是非常高；化合物半导体可实现非 常高的特征频率器件，但由于材料成本高、尺寸小的缺点，加上大多数化合物半导体有毒， 限制了其应用。SiGe HBT(SiGe异质结双极晶体管)则是超高频器件的很好选择，首先其利 用SiGe与Si的能带差别，提高发射区的载流子注入效率，增大器件的电流放大倍数；其次 利用SiGe基区的高掺杂，降低基区电阻，提高特征频率；另外SiGe工艺基本与硅工艺相兼 容，因此SiGe HBT已经成为超高频器件的主力军。在SiGe HBT的核心是做大三极管的放大系数，常规的方法是通过优化E-B结(发 射极-基极)改善发射效率，以及减少在基区的复合来实现的。在考虑到实际应用有最小 BVCEO(晶体管基极开路时，集电极至发射极的反向击穿电压)的要求，因此通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳｉＧｅ异质结双极晶体管的发射极制作工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）采用原位掺杂生长多晶，该原位掺杂的多晶以Ａｓ和Ｐ作为掺杂元素一起掺杂；（２）多晶生长完成后，冲水擦片进行清洗；（３）表面淀积一层氧化膜；（４）注入Ａｓ和Ｐ；（５）去除表面的氧化膜；（６）快速热退火充分激活掺杂元素，将充分激活的多晶作为发射极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周正良，陈雄斌，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31