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本发明公开了一种SiGe异质结双极晶体管的发射极制作工艺方法，包括如下步骤：(1)采用原位掺杂生长多晶，该原位掺杂的多晶以As和P作为掺杂元素一起掺杂；(2)多晶生长完成后，冲水擦片进行清洗；(3)表面淀积一层氧化膜；(4)注入As和P；(...
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