【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种。
技术介绍
在1微米以下的半导体生产工艺中一般都会使用侧墙的结构，侧墙一般用来环绕 多晶硅栅极，防止更大剂量的源/漏注入过于接近的沟道从而导致发生源/漏穿通(punch through)ο现有技术公开一种形成侧墙的技术方案，参照图1至2所示。首先参照图1，提供 半导体衬底11，所述半导体衬底11上形成有栅介质层和栅极构成的栅极结构12、形成于栅 极结构12上和两侧的侧墙层13，所述栅极结构12两侧的半导体底11中还形成有源/漏延 伸区，在此为了简化图示，未示出。所述侧墙层13采用绝缘介质材料制备，厚度可以为500 埃至800埃，在实际半导体工艺中所述侧墙层13 —般包括氧化硅层和覆盖氧化硅层的氮化 硅层。参照图2，对侧墙层13进行刻蚀，该刻蚀步骤包括两个步骤首先，采用第一刻蚀 气体进行第一刻蚀，所述第一刻蚀气体为CF4丄冊3、02和Ar，体积比为40 80 20 250， 该步骤中主要刻蚀半导体衬底11和栅极结构12顶部的侧墙层13中的氮化硅层，一般情况 下，该步骤不会把导体衬底11和栅极结构12顶部的侧墙层1...
【技术保护点】
一种形成栅极结构侧墙的方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；形成覆盖栅极结构和半导体衬底的氧化物层；向所述氧化物层中掺杂氮离子；形成覆盖所述氧化物层的侧墙层；刻蚀所述侧墙层，刻蚀停止在栅极结构顶部和半导体衬底上的氧化物层表面或内部；对氧化物层进行过刻蚀，去除半导体衬底和栅极顶部的所述氧化物层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，黄怡，刘佑铭，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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