多晶硅层的蚀刻方法技术

本发明专利技术涉及一种多晶硅层的蚀刻方法，包括：蚀刻第一层多晶硅；淀积第一侧墙；蚀刻第一侧墙；生长低压栅氧化层；淀积第二层多晶硅；淀积硅化钨层；蚀刻硅化钨层和第二层多晶硅；淀积第二侧墙；蚀刻第二侧墙。本发明专利技术采用单独对第一层多晶硅淀积侧墙的工艺，解决了蚀刻第二层和之后层次的多晶硅后，在第一层多晶硅侧壁产生残留缺陷的问题，同时很好的保证了第一层多晶硅的栅极形貌。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工业中的蚀刻Etching)工艺，尤其涉及一种多晶硅层的蚀刻 方法。
技术介绍
半导体器件的栅极材料一般选用多晶硅(Poly silicon)。为了获得良好的器件电 性能，对多晶硅栅的形貌有较高的要求。在一些工艺中，比如B⑶(BipolarCMOS DM0S，一种 在同一块芯片上制造Bipolar、CMOS、DMOS器件的工艺)，需要一层多晶硅作为高压MOS的 栅极，另一层多晶硅作为低压MOS的栅极，因此需要淀积多层多晶硅。在制造低压MOS的栅 极时，通常在多晶硅上淀积一层金属硅化物，例如硅化钨(WSI)以获得较低的电阻。然而，在蚀刻第二层或之后层次的多晶硅时，因为硅化钨和多晶硅蚀刻的选择比 较低，会由于各向异性蚀刻，导致硅化钨在前一层次的多晶硅侧壁边缘形成针状残留，如 图7中箭头所指。传统技术解决此问题的办法是将第一层多晶硅侧壁做倾斜，形成梯形 结构。但这样的多晶硅形貌会影响栅极的电特性，还会改变栅极的关键尺寸(Critical Dimension, CD)，增加了工艺的复杂度。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种解决多晶硅侧壁边缘残留的。一种，包括蚀刻第一层多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅层的蚀刻方法，包括：蚀刻第一层多晶硅；淀积第一侧墙；蚀刻第一侧墙；生长栅氧化层；淀积第二层多晶硅；淀积硅化钨层；蚀刻硅化钨层和第二层多晶硅；淀积第二侧墙；蚀刻第二侧墙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：桂林春，赵志勇，林奕琼，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32