【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件工艺
，尤其是一种实现50纳米及以下尺寸硅栅结构的制作方法。
技术介绍
光子器件的发展趋势是小型化、集成化。由于硅与氧化硅两种材料的折射率差接近2，使得光可以被限制在纳米级的很小尺寸的波导内，这使得基于SOI衬底的光子器件小型化、集成化成为可能。而利用亚波长尺寸(小于入射波波长)的硅栅结构已制作出大量微纳光电子功能器件，如定向耦合器、模斑转换器、聚焦器、反射镜、防反射器等。通信用光波波长主要在1310nm和1550nm两个通信窗口内，这使得亚波长器件特征尺寸一般都会在200nm左右，为了近一步提高器件的性能，光子器件特征尺寸需要进一步降低，特征尺寸在50nm及以下的器件研发备受关注。而50nm及以下的硅栅制作对加工能力有很高的要求，即使利用电子束曝光这样的工艺依然接近其极限加工能力，或是需要胶灰化等复杂的附加工艺处理。因此在器件制作过程中往往因为设备状态、操作人员、工艺条件等一些不可避免的微小变化就会使制作出的器件性能出现问题。这对器件加工的可重复性提出了严峻的考验，同时也增加了器件的制作成本。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题本...
【技术保护点】
１．一种５０ｎｍ及以下的硅栅结构的制作方法，其特征在于，该方法先制作出１００ｎｍ的粗硅栅，然后再经过二次处理形成５０ｎｍ及以下尺寸的硅栅结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨成樾，周静涛，张慧慧，刘焕明，申华军，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。