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本发明公开了一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法，该方法先制作出100nm左右的粗硅栅，然后再经过二次处理形成50nm及以下尺寸的硅栅结构。该方法工艺简单，降低了细光栅制作过程中对光刻工艺的难度要求，解决了器件可重复性制作问题，提高了器件...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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