【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多晶硅栅极刻蚀工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1，提供一具有多晶硅刻蚀结构的半导体结构，所述多晶硅刻蚀结构由下至上依次为栅氧化层、多晶硅层、第一二氧化硅层和氮化硅层；S2，制备第二二氧化硅层覆盖所述氮化硅层的表面，所述第一二氧化硅层、氮化硅层、第二二氧化硅层形成硬质掩膜层；S3，刻蚀所述硬质掩膜层，形成具有栅极图形的阻挡层；S4，以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：秦伟，高慧慧，杨渝书，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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