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本发明公开了一种多晶硅刻蚀方法，包括如下步骤：提供一具有多晶硅刻蚀结构的半导体结构，所述多晶硅刻蚀结构由下至上依次为栅氧化层、多晶硅层、第一二氧化硅层和氮化硅层；制备第二二氧化硅层覆盖所述氮化硅层的表面，所述第一二氧化硅层、氮化硅层、第二二...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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