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本发明提供了一种形成栅极结构侧墙的方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；形成覆盖栅极结构和半导体衬底的氧化物层；向所述氧化物层中掺杂氮离子；形成覆盖所述氧化物层的侧墙层；刻蚀所述侧墙层，刻蚀停止在栅极结构顶部和半导...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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