CMOS输入输出接口电路制造技术

技术编号:6990430 阅读:351 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种CMOS输入输出接口电路,包括第一NMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管、电阻,所述第一NMOS管栅极经电阻接电源,源极接引脚,漏极接第二PMOS管及第三NMOS管的栅极,第二PMOS管的漏极接电源,第三NMOS管的源极接地,第二PMOS管的源极及第三NMOS管的漏极接第四PMOS管及第五NMOS管的栅极,第四PMOS管的漏极接电源,第五NMOS管的源极接地,第四PMOS管的源极及第五NMOS管的漏极接内部电路,还包括第六PMOS管,第六PMOS管栅极接第二PMOS管的源极及第三NMOS管的漏极,漏极接第二PMOS管及第三NMOS管的栅极,源极接电源。本发明专利技术的CMOS输入输出接口电路能有效避免漏电流的产生。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种CMOS输入输出接口电路,包括第一NMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管、电阻,所述第一NMOS管栅极经电阻接电源,源极接引脚,漏极接第二PMOS管及第三NMOS管的栅极,第二PMOS管的漏极接电源,第三NMOS管的源极接地,第二PMOS管的源极及第三NMOS管的漏极接第四PMOS管及第五NMOS管的栅极,第四PMOS管的漏极接电源,第五NMOS管的源极接地,第四PMOS管的源极及第五NMOS管的漏极接内部电路,所述第一NMOS管作为传输门,第二PMOS管同第三NMOS管构成一CMOS反相器,第四PMOS管同第五NMOS管构成一CMOS反相器,其特征在于,还包括第六PMOS管,第六PMOS管栅极接第二PMOS管的源极及第三NMOS管的漏极,漏极接第二PMOS管及第三NMOS管的栅极,源极接电源。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐鹏
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司
类型:发明
国别省市:31

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