输出入电路装置制造方法及图纸

使连接工作电压不同的半导体装置的输出入电路装置在高电压的情况下具有充分地热载流子承受力。输出入电路装置（１０），具有形成在半导体衬底（１０１）上的，栅极（１０５）接收输入信号，源极扩散层（１０６）接地，漏极扩散层（１０７）与内部节点（Ｖｃ）连接的拉曳晶体管（Ｑ１），和栅极（１１５）接收电源电压（ＶＤＤ），源极漏极扩散层（１１６）之一与输出入节点（Ｖ０）连接，源极漏极扩散层（１１６）的另外之一与内部节点（Ｖｃ）连接的级联晶体管（Ｑ２）。级联晶体管（Ｑ２）的衬底电压，使其成为未接地状态。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种输出入电路装置，包括：第一晶体管，形成在衬底上，第一栅极接收输入信号，第一源极漏极之一与第一电源端子连接，上述第一源极漏极的另外之一与内部节点连接，和第二晶体管，形成在上述衬底上，第二栅极与第二电源端子连接，第二源极漏极之一与输出入节点连接，上述第二源极漏极的另外之一与上述内部节点连接，其特征为：上述第二晶体管的衬底电位，成为未接地状态。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安井孝俊，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]