多单元射频晶体管的射频参数模拟方法技术

本发明专利技术公开了一种多单元射频晶体管的射频参数模拟方法，设计多单元射频晶体管总结构中用于重复并联的各单个射频晶体管单元的版图结构，并对其进行射频测试，得到各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数；将多单元射频晶体管多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的版图文件调入电磁仿真软件，进行电磁仿真得到相互连线结构的射频参数；将所述多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数同所有各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数进行射频参数的叠加得到多单元射频晶体管总结构的射频参数。本发明专利技术的多单元射频晶体管的射频参数模拟方法，能降低进行射频参数模拟的人力资源，能灵活方便地模拟多单元射频晶体管的射频参数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体测试技术，特别涉及一种多单元射频晶体管的射频参数模拟方 法。
技术介绍
在射频集成电路设计中，由于大电流和高功率的应用要求，有源器件的设计多采 用多单元射频晶体管结构，如图1所示，多单元射频晶体管结构其实包括两部分，一部分是 重复并联的射频晶体管单元11，另一部分则是多个射频晶体管单元之间的相互连线12。为 了对多单元射频晶体管结构进行准确的射频参数模拟，传统方法是预先设计多单元射频晶 体管的版图结构，然后直接对其进行射频测试，进行射频参数模拟。以上方法有较多缺点， 如多单元射频晶体管的版图结构设计不仅需要大量的人力资源，而且无法覆盖各种不同 的高功率射频集成电路应用。同时，多单元射频晶体管工作电流很大，其射频测试也受到现 有测试设备的限制。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，能 降低进行射频参数模拟的人力资源，能灵活方便地模拟多单元射频晶体管的射频参数。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括以 下步骤一 .设计多单元射频晶体管总结构中用于重复并联的各单个射频晶体管单元的 版图结构，并对各单个射频晶体管单元的版图结构进行射频测试，得到各单个射频晶体管 单元的版图结构的射频参数；二 .将多单元射频晶体管多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的版图文件 调入电磁仿真软件，同时在电磁仿真软件中定义和多单元射频晶体管结构生产工艺完全匹 配的金属和介质层参数，然后对多个射频晶体管单元之间的相互连线结构进行电磁仿真得 到多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数；三.将所述多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数同所有各单个 射频晶体管单元的版图结构的射频参数进行射频参数的叠加得到多单元射频晶体管总结 构的射频参数。本专利技术的，先分别设计多单元射频晶体管 结构用于重复并联的各单个射频晶体管单元的版图结构，并对各单个射频晶体管单元的版 图结构进行射频测试，得到各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数，采用磁仿真软 件对多单元射频晶体管之间的相互连线结构进行高精度的电磁仿真，从而得到相互连线结 构准确的射频参数，在此基础上，运用射频参数叠加的算法，得到所测的多单元射频晶体管 总结构的射频参数。由于进行各单个射频晶体管单元的版图结构设计需要的人力资源远小 于进行多单元射频晶体管总版图结构设计需要的人力资源，节省了传统做法中大量的版图工作，所以能大大降低进行版图结构设计的人力资源，从而能降低进行射频参数模拟的人 力资源，另一方面也较大地提高了多单元射频晶体管建模的灵活度，能灵活方便地模拟多 单元射频晶体管的射频参数。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。图1是多单元射频晶体管结构示意图；图2是本专利技术的一实施方式流程图。 具体实施例方式在射频集成电路设计中采用的多单元射频晶体管结构如图1所示，多单元射频晶 体管结构主要包括两部分，一部分是重复并联的多个射频晶体管单元11，另一部分则是多 个射频晶体管单元之间的相互连线12。本专利技术的一实施方式如图2所示，包括以 下步骤一 .先设计多单元射频晶体管总结构中用于重复并联的各单个射频晶体管单元 的版图结构，并对各单个射频晶体管单元的版图结构进行射频测试，得到各单个射频晶 体管单元的版图结构的射频参数S_Singlecell_i(i = 1，…，m，m为重复并联的多个射 频晶体管单元数量)；根据微波基础理论，可推出重复并联的多个射频晶体管单元的集总 的射频参数 S_multicell，即 S_multicell = S_singlecell_l+S_singlecell_2+—+S_ singlecell_m。二 .将多单元射频晶体管多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的版图文件 调入电磁仿真软件(如HFSS，Momentum等)，同时在电磁仿真软件中定义和多单元射频晶 体管结构生产工艺完全匹配的金属和介质层参数，然后对多个射频晶体管单元之间的相互 连线结构进行电磁仿真得到多个射频晶体管单元之间的相互连线结构准确的射频参数S_ interconnection ；三.将所述多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数S_ interconnection同所有各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数S_singlecell_i 进行射频参数的叠加得到多单元射频晶体管总结构的射频参数S_total即S_total = S_interconnection+S_singlecel l_l+S_sing lecel 1_2+..· +S_ singlecell—m = S_interconnection+S—multicell。本专利技术的，摒弃了设计多单元射频晶体管 总结构特殊版图结构并进行多单元射频晶体管测试的传统做法，先分别设计多单元射频晶 体管结构用于重复并联的各单个射频晶体管单元的版图结构，并对各单个射频晶体管单元 的版图结构进行射频测试，得到各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数，采用磁仿 真软件对多单元射频晶体管之间的相互连线结构进行高精度的电磁仿真，从而得到相互连 线结构准确的射频参数，在此基础上，运用射频参数叠加的算法，得到所测的多单元射频晶 体管总结构的射频参数。由于进行各单个射频晶体管单元的版图结构设计需要的人力资源 远小于进行多单元射频晶体管总版图结构设计需要的人力资源，节省了传统做法中大量的版图工作，所以能大大降低进行版图结构设计的人力资源，从而能降低进行射频参数模拟 的人力资源，另一方面也较大地提高了多单元射频晶体管建模的灵活度。利用现有的电磁 仿真软件(如HFSS，Momentum等)进行电磁仿真得到多个射频晶体管单元之间的相互连 线结构准确的射频参数，提高了现有测试设备的利用率。权利要求1.一种，其特征在于，包括以下步骤一.设计多单元射频晶体管总结构中用于重复并联的各单个射频晶体管单元的版图 结构，并对各单个射频晶体管单元的版图结构进行射频测试，得到各单个射频晶体管单元 的版图结构的射频参数；二.将多单元射频晶体管多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的版图文件调入 电磁仿真软件，对多个射频晶体管单元之间的相互连线结构进行电磁仿真得到多个射频晶 体管单元之间的相互连线结构的射频参数；三.将所述多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数同所有各单个射频 晶体管单元的版图结构的射频参数进行射频参数的叠加得到多单元射频晶体管总结构的 射频参数。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，将多 单元射频晶体管多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的版图文件调入电磁仿真软件， 同时在电磁仿真软件中定义和多单元射频晶体管结构生产工艺完全匹配的金属和介质层 参数，然后对多个射频晶体管单元之间的相互连线结构进行电磁仿真得到多个射频晶体管 单元之间的相互连线结构的射频参数。全文摘要本专利技术公开了一种，设计多单元射频晶体管总结构中用于重复并联的各单个射频晶体管单元的版图结构，并对其进行射频测试，得到各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数；将多单元射频晶体管多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的版图文件调入电磁仿真软件，进行电磁仿真得到相互连线结构的射频参数；将所述多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数同所有各单个射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多单元射频晶体管的射频参数模拟方法，其特征在于，包括以下步骤：一．设计多单元射频晶体管总结构中用于重复并联的各单个射频晶体管单元的版图结构，并对各单个射频晶体管单元的版图结构进行射频测试，得到各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数；二．将多单元射频晶体管多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的版图文件调入电磁仿真软件，对多个射频晶体管单元之间的相互连线结构进行电磁仿真得到多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数；三．将所述多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数同所有各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数进行射频参数的叠加得到多单元射频晶体管总结构的射频参数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周天舒，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31