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本发明公开了一种多单元射频晶体管的射频参数模拟方法，设计多单元射频晶体管总结构中用于重复并联的各单个射频晶体管单元的版图结构，并对其进行射频测试，得到各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数；将多单元射频晶体管多个射频晶体管单元之间的相互连...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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