【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体技术，特别涉及一种。
技术介绍
半导体器件制作是指在衬底上执行一系列复杂的化学或物理操作，以形成半导体 器件的过程。图1 图10为现有技术中的过程剖面示意图，该方法 主要包括步骤101，参见图1，提供一衬底，在衬底上形成N阱、P阱以及浅沟槽隔离区 (STI)。采用双阱工艺来定义N型金属氧化物半导体(NMOQ管和P型金属氧化物半导体 (PMOS)管的有源区，从而得到N阱和P阱。然后，通过光刻以及蚀刻等工艺，在半导体衬底内形成STI，用于电绝缘所述的形 成NMOS管和PMOS管的有源区。步骤102，参见图2，在衬底表面生长栅氧化层和淀积多晶硅，并利用光刻、蚀刻和 离子注入等工艺在P阱上方形成NMOS管的栅极结构，在N阱上方形成PMOS管的栅极结构。本步骤中，首先在衬底表面进行栅氧化层的生长；然后，通过化学气相淀积工艺， 在栅氧化层表面淀积一层多晶硅，厚度约为500 2000埃；之后，通过蚀刻所述多晶硅和栅 氧化层，制作出NMOS管和PMOS管的栅极结构。本专利技术所述栅极结构包括由多晶硅构成的栅极和位于栅极下方的栅氧化层。步骤103，参见图3，...
【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，在衬底内形成用于隔离有源区的浅沟槽隔离区ＳＴＩ，并在有源区分别形成Ｎ型金属氧化物半导体ＮＭＯＳ管、Ｐ型金属氧化物半导体ＰＭＯＳ管的栅极结构后，在ＮＭＯＳ管和ＰＭＯＳ管的栅极结构两侧的衬底上进行轻掺杂漏ＬＤＤ注入，其特征在于，该方法还包括：在衬底以及ＮＭＯＳ管和ＰＭＯＳ管的栅极结构的表面形成第一介质层；进行退火；在第一介质层之上形成第二介质层；蚀刻并去除位于衬底上的第二介质层，形成ＮＭＯＳ管和ＰＭＯＳ管的栅极结构的侧壁层；分别在ＮＭＯＳ管和ＰＭＯＳ管的侧壁层两侧的半导体衬底上进行离子注入，形成ＮＭＯＳ管和ＰＭＯＳ管的漏极、源极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐兆云，何有丰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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