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本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在衬底内形成用于隔离有源区的浅沟槽隔离区STI，并在有源区分别形成N型金属氧化物半导体NMOS管、P型金属氧化物半导体PMOS管的栅极结构后，在NMOS管和PMOS管的栅极结构两侧的衬底上进...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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