【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及一种。
技术介绍
在半导体制作过程中，通常在晶圆上制作若干个有源器件，通过淀积工艺在有源 器件上逐层制作介质层和金属层，通过介质层、开设于介质层的通孔、通过通孔连接的不同 金属层将晶圆上制作的有源器件连接起来，这就是晶圆多层金属化的过程。制作于金属层 上的互连线通过在绝缘层上制作的通孔连接，以将晶圆上的有源器件相关连接起来。图1为现有的晶圆上多层金属化的结构示意图。现结合图1，对化学气相沉积的方 法进行说明，具体如下在晶圆的硅衬底101上制作浅沟槽隔离区102，根据需要在硅衬底101上制作有源 器件，对制作了有源器件的晶圆进行多层金属化，也就是在晶圆的有源器件上制作相互间 隔的多层金属层及多层介质层。在晶圆上制作介质层时，首先，将晶圆置于化学气相沉积反 应腔中，利用化学气相沉积在硅衬底101的有源器件上制作第一介质层103 ；其次，对晶圆 上的第一介质层103进行刻蚀形成通孔104，将晶圆置于物理气相沉积反应腔中，利用物理 气相沉积填充通孔104 ；再次，利用物理气相沉积在介质层和通孔开口处形成第一金属层 105 ；最后，对...
【技术保护点】
一种非等离子体辅助的化学气相沉积，该方法包括：在将晶圆置于反应腔之前，清洗反应腔内壁沉积的沉积物，在反应腔内壁沉积一层第二沉积物，根据反应腔内的气压调节通入保护性气体的时间；将晶圆置于反应腔后，利用非等离子体辅助的化学气相沉积在晶圆上制作介质层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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