【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种含联三吡啶的双边不同取代噻咯类化合物及其作为光电材料在电致发光中的应用。本专利技术还涉及含联三吡啶的双边不同取代噻咯类化合物的制备方法。
技术介绍
噻咯具有的新颖独特的电子结构赋予了其良好的电子亲合力和电子迁移率，使它在光电子材料领域有着广阔的应用前景，它可以作为有机电致发光器件(OLED)中的电子传输材料，也可以作为发光材料。上世纪90年代以来，围绕着噻咯及其衍生物的合成，以及它们作为光电材料的应用等，研究者已做了比较多的工作。而联三吡啶作为重要的超分子结构单元，与其他配合物相比具有独特的磁、光物理和电化学性质。如果对联三吡啶配体结构进行修饰，可以方便地调控配合物放入光物理及电化学性质，因此利用这些特性可以设计很多新颖的功能化材料，用于光电子器件、信息存储、分子开关、分子机器和太阳能电池等。近年的研究分析表明，噻咯-联三吡啶配合物有优良的光致发光和电致发光性能。所以本专利技术的目的是提供一种新型的光电材料，研究其具体的发光效率，为光电领域提供具有应用价值前景的光电功能新材料。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种含联三吡啶的不对称噻咯类化合...
【技术保护点】
１．如式Ｖ所示的含联三吡啶的不对称噻咯类化合物：Ｒ１、Ｒ２各自独立为氢、Ｃ１～Ｃ１０的烷基、Ｃ３～Ｃ６的环烷基或苯基；Ｒ３为氢、Ｃ１～Ｃ１０的烷基、Ｃ３～Ｃ６的环烷基或苯基中的任意一种或两种以上的组合；Ｒ４为氢或苯基中的任意一种或两种的组合；Ｒ５为氢、Ｃ１～Ｃ６的烷基、Ｃ３～Ｃ６的环烷基或苯基中的任意一种或两种以上的组合；结构式Ｖ中，不同位置的Ｒ３表示相同的基团，不同位置的Ｒ４表示相同的基团，不同位置的Ｒ５表示相同的基团。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：尹守春，张靖，冯海柯，赵祖金，邱化玉，
申请(专利权)人：杭州师范大学，
类型：发明
国别省市：86
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