【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种乙炔基封端的胺基硅烷化合物及制备方法。
技术介绍
现代科技的发展促进了人们对无机有机杂化聚合物材料的强烈需求，这类材料具有质轻、耐热、可加工的优点，在微电子工业和航空航天工业中具有重要应用。含硅聚合物是一种有机无机杂化材料，不同结构的含硅杂化聚合物可用作光电子功能材料、硅基陶瓷前驱体和耐高温材料。近年来，含硅杂化聚合物材料的研究热点主要集中于含炔基及芳基的聚碳硅烷和含炔基及芳基的聚硅氧硅烷，前者具有很高的热稳定性，可作为耐高温热固性树脂和碳化硅陶瓷前驱体；后者具有卓越的耐高温性能，可作为新型耐高温材料。有机硅氮烷聚合物，作为有机硅聚合物的一个重要组成部分，一直备受人们瞩目， 聚硅氮烷普遍具有较高的热稳定性，广泛应用于耐高温材料领域。谢择民等合成了含炔基的聚硅氮烧聚合物，这类聚合物表现出良好的耐高温性能，可用于耐高温热固性树脂、硅基陶瓷前驱体和光电功能材料领域，然而含端炔基的硅氮烷小分子化合物及其制备方法未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供。本专利技术提供的式(I)所示乙炔基封端的胺基硅烷化合物，权利要求1.式(I)所示乙炔基封端的胺基硅烷化合物，2.根据权利要求1所述的胺基硅烷化合物，其特征在于式(I)中，R1和R2均选自H原子、乙烯基、烯丙基、甲基、乙基、己基、三氟丙基、苯基、对甲基苯基和间甲基苯基。3.权利要求1或2所述胺基硅烷化合物的制备方法，包括如下步骤式(II)所示二有机基二氯硅烷与乙炔基苯胺进行亲核取代反应即得所述胺基硅烷化合物，4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于式(II)中，R1和R2均选自H原子、 乙...
【技术保护点】
１．式（Ｉ）所示乙炔基封端的胺基硅烷化合物，式（Ｉ）中，两个取代苯环同时为邻位取代苯环、间位取代苯环或对位取代苯环；Ｒ１和Ｒ２均选自Ｈ原子、Ｃ１－Ｃ１２烷基、Ｃ２－Ｃ１２链烯基、Ｃ６－Ｃ１２芳基和三氟丙基。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐彩虹，王锐，方雷，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：11
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