一种含吡啶化合物及其有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种如结构式I的含吡啶化合物，该化合物具有较好的热稳定性、高发光效率、高发光纯度，可以用于制作有机电致发光器件，应用于有机太阳能电池、有机薄膜晶体管或有机光感受器领域。本发明专利技术还提供了一种有机电致发光器件，其包括阳极、阴极和有机层，有机层包含发光层、空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层中的一层或一层以上，有机层中至少一层包含有如结构式I的化合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及有机电致发光材料领域，具体设及一种含化晚化合物及其有机电致发 光器件，属于有机电致发光器件显示

技术介绍
有机电致发光器件（OL邸S)为在两个金属电极之间通过旋涂或者真空蒸锻沉积 一层有机材料制备而成的器件，一个经典的=层有机电致发光器件包含空穴传输层、发光 层和电子传输层。由阳极产生的空穴经空穴传输层跟由阴极产生的电子经电子传输层结合 在发光层形成激子，而后发光。有机电致发光器件可W根据需要通过改变发光层的材料来 调节发射各种需要的光。 有机电致发光器件作为一种新型的显示技术，具有自发光、宽视角、低能耗、效率 高、薄、色彩丰富、响应速度快、适用溫度范围广、低驱动电压、可制作柔性可弯曲与透明的 显示面板W及环境友好等独特优点，可W应用在平板显示器和新一代照明上，也可W作为 LCD的背光源。 自从20世纪80年代底专利技术W来，有机电致发光器件已经在产业上有所应用，比如 作为相机和手机等屏幕，但是目前的OLED器件由于效率低，使用寿命短等因素制约其更广 泛的应用，特别是大屏幕显示器，因此需要提高器件的效率。而制约其中的一个重要因素就 是有机电致发光器件中的有机电致发光材料的性能。另外由于OL邸器件在施加电压运行 的时候，会产生焦耳热，使得有机材料容易发生结晶，影响了器件的寿命和效率，因此，也需 要开发稳定高效的有机电致发光材料。 有机电致憐光现象，突破了有机电致发光量子效率低于25%的理论限制，提升到 100% 度aldoM.A.,ForrestS.R.化al，化Uire, 1998, 395, 151-154)，其应用也大大地提 高了有机电致发光器件的效率。一般地，电致憐光需要采用主客体渗杂技术，常用的作为憐 光主体材料的CBP(4, 4'-bis(；9-ca;rbazolyl)-biphenyl)具有高效和高S线态能级，当其 作为主体材料时，=线态能量能够有效地从发光主体材料转移到客体憐光发光材料。但是 由于CBP的空穴易传输而电子难流动的特性，使得发光层的电荷不平衡，结果降低了器件 的效率。
技术实现思路
本专利技术首先提供一种含化晚化合物，其为具有如下结构式I的化合物： 其中，Ar选自C6-C60的取代或者未取代的芳基、C3-C60的取代或者未取代的带 有一个或者多个杂原子的杂芳基、C6-C60的S芳香胺基、C6-C30的取代或者未取代的巧挫 基； X选自0、S、Se、CRiRz、NRs;Ri和Rz分别独立地选自氨、気、面素、氯基、硝基、C1-C8烷基、C1-C8烷氧基、C6-C30 的取代或者未取代的芳基、C3-C30的取代或者未取代的杂芳基、C2-C8的取代或者未取代 的締烷基、C2-C8的取代或者未取代的烘烷基；Rs选自C1-C8烷基、C1-C8烷氧基、C6-C30的取代或者未取代的芳基、C3-C30的取 代或者未取代的杂芳基。 优选地，Ar选自苯基、糞基、蔥基、菲基、巧基、巧基、巧蔥基、（9, 9-二烷基）巧基、 (9, 9-二取代或者未取代的芳基）巧基、9, 9-螺巧基、二苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、化晚 基、喀晚基、嚷二挫基、S氮挫基、S嗦基、哇嘟基，其中Ar可W被C1-C8的烷基取代；[001引X选自0、S、CRiR2、NR3;而和1?2分别独立地选自〇1-〔8烷基、〔6-〔30的取代或者未取代的芳基；Rs选自C1-C8烷基、苯基、糞基、蔥基、菲基、巧基、巧基、巧蔥基、（9, 9-二烷基）巧 基、（9, 9-二取代或者未取代的芳基）巧基、9, 9-螺巧基、二苯并嚷吩基、二苯并巧喃基、化 晚基、喀晚基、嚷二挫基、S氮挫基、S嗦基、哇嘟基。 进一步优选地，本专利技术的含有化晚化合物为下列结构式1-44的化合物： 本专利技术的含化晚化合物可W应用在有机电致发光器件、有机太阳能电池、有机薄 膜晶体管或有机光感受器领域。 本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，该器件包含阳极、阴极和有机层，有机层 包含发光层、空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层中的一层或一 层W上，其中所述有机层中至少有一层含有如结构式I所述的含化晚化合物：[002引其中ArW及X的定义如前所述。 其中有有机层为发光层； 或者有机层为发光层和电子传输层； 或者有机层为发光层、电子传输层和电子注入层； 或者有机层为空穴传输层和发光层； 或者有机层为空穴注入层、空穴传输层和发光层； 或者有机层为空穴传输层、发光层和电子传输层； 或者有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层； 或者有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层； 或者有机层为空穴注入层、空穴传输层、阻挡层、发光层、电子传输层和电子注入 层； 或者有机层为空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层； 或者有机层为空穴传输层、发光层、电子注入层和空穴阻挡层。 优选地，其中如结构式I所述的含化晚化合物所在的层为发光层；[003引优选地，其中如结构式I所述的含化晚化合物为结构式1-44的化合物。 如结构式I所述的含化晚化合物用于发光器件制备时，可W单独使用，也可W和 其它化合物混合使用；如结构式I所述的含化晚化合物可W单独使用其中的一种化合物， 也可W同时使用结构式I中的两种或两种W上的化合物。 本专利技术的有机电致发光器件，进一步优选的方式为，该有机电致发光器件包含阳 极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中发光层中含有 一种或一种W上的结构式I的化合物；进一步优选地，发光层中含有一种或一种W上的结 构式1-44的化合物。 优选地，有机电致发光器件的发光层含有结构式I化合物和憐光发光客体材料， 其中结构式I化合物作为主体材料，其浓度为整个发光层重量的20-99. 9 %，优选80-99 %， 更优选为90-99%。[004引本专利技术的有机电致发光器件有机层的总厚度为1-lOOOnm，优选50-500nm。 本专利技术的有机电致发光器件在使用本专利技术具有结构式I的化合物时，可W搭配使 用其它材料，如在空穴阻挡层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阻挡层中 等，而获得蓝光、绿光、黄光、红光或者白光。本专利技术有机电致发光器件的空穴传输层和空穴注入层，所需材料具有很好的空穴 传输性能，能够有效地把空穴从阳极传输到发光层上。除了上述具有结构式I所述化合物 夕F，还可W包括其它小分子和高分子有机化合物，包括但不限于巧挫类化合物、=芳香胺化 合物、联苯二胺化合物、巧类化合物、献菁类化合物、六氯基六杂立苯化exanitriIehexaaza triphenylene)、2, 3, 5, 6-四氣-7, 7'，8, 8' -四氯二甲基对苯酿（F4-TCNQ)、聚乙締基巧挫、 聚嚷吩、聚乙締或聚苯横酸。 本专利技术的有机电致发光器件的发光层，具有很好的发光特性，可W根据需要调节 可见光的范围。除本专利技术的具有结构式I化合物作为憐光主体材料外，还可W搭配其它憐 光主体材料，憐光发光客体材料可W包含选自钉、铜、锭、银、银、当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含吡啶化合物，其特征在于其为具有如下结构式I的化合物：其中，Ar选自C6‑C60的取代或者未取代的芳基、C3‑C60的取代或者未取代的带有一个或者多个杂原子的杂芳基、C6‑C60的三芳香胺基、C6‑C30的取代或者未取代的咔唑基；X选自O、S、Se、CR1R2、NR3；R1和R2分别独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、C1‑C8烷基、C1‑C8烷氧基、C6‑C30的取代或者未取代的芳基、C3‑C30的取代或者未取代的杂芳基、C2‑C8的取代或者未取代的烯烷基、C2‑C8的取代或者未取代的炔烷基；R3选自C1‑C8烷基、C1‑C8烷氧基、C6‑C30的取代或者未取代的芳基、C3‑C30的取代或者未取代的杂芳基。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄锦海，苏建华，
申请(专利权)人：上海道亦化工科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31