【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及非挥发性存储器
，尤其涉及一种电阻型随机存储器的存储单元 及其制备方法。
技术介绍
当前数字高科技的飞速发展，对现有信息存储产品的性能提出了更高的要求，例如 高速度、高密度、长寿命、低成本和低功耗等，同时也揭示了现有随机存储技术的缺陷。 动态存储器和静态存储器的弱点之一是其易失性断电情况下信息丢失，并且易受电磁 辐射干扰。闪存则存在读写速度慢、记录密度低等技术障碍。因此，迫切需要在存储材 料和技术方面取得突破，以开发新一代的存储器技术。2000年美国休斯顿大学在金属/钙钛矿锰氧化物PrCaMnO/金属这种三明治结构中 发现，在两金属电极间施加电脉冲可以使体系电阻在高低阻值上来回快速切换。随后， 人们发现在NiO、 CuO、 Zr02、 Ti02等多种二元过渡族金属氧化物中也存在类似的电致 电阻转变效应。基于该电阻转变效应，人们提出了一种新型非易失性存储器概念一电阻 型随机存储器(RRAM)。电阻型随机存储器的存储单元， 一般包括绝缘衬底，绝缘衬底 表面设置第一电极，第一电极表面上设置具有电阻转变特性材料制成的中间层，中间层 的表面设置第二电极...
【技术保护点】
一种电阻型随机存储器的存储单元，包括绝缘衬底，绝缘衬底表面设置第一电极，第一电极表面上设置具有电阻转变特性材料制成的中间层，中间层的表面设置第二电极，其特征在于：所述中间层由氧化石墨烯薄膜形成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李润伟，诸葛飞，何聪丽，刘兆平，周旭峰，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：97
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