存储装置及其制造方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
存储装置及其制造方法相关申请的交叉引用本专利技术包含与2010年6月15日向日本专利局提交的日本专利申请JP2010-136460中公开的相关主题并要求其优先权，将其全部内容通过引用并入此处。
本专利技术涉及包括可变电阻型存储元件的存储装置以及制造该存储装置的方法。
技术介绍
过去，已有人提出了一种可变电阻型非易失性存储元件。在可变电阻型非易失性存储元件中，使用其电阻值变化的材料(下文中称作可变电阻材料)形成用于根据电阻值而存储信息的存储层。例如，以绝缘膜(高阻膜)作为存储层。存储层位于下部电极和上部电极之间，以形成存储元件。使用存储元件构成高速运行的存储装置(所谓的ReRAM)。作为一种可变电阻型非易失性存储元件，有人提出了一种由存储层和离子源层层叠而成的存储元件，所述存储层根据存储层的电阻值的变化而存储信息，所述离子源层含有可作为离子移动的元素。具有该配置的存储元件采用了一种结构，例如，其中存储层和离子源层位于下部电极和上部电极之间。离子源层含有例如Cu、Ag、Zn和Al等元素，以作为可变成离子的元素。在存储层中，可使用氧化钽、氧化铌、氧化铝、氧化铪和氧化锆之...
【技术保护点】
１．一种存储装置，其包括：下部电极，其为每个存储单元单独形成；存储层，其形成于所述下部电极上，并且能够根据电阻值的变化而记录信息；和上部电极，其形成于所述存储层上，其中，所述下部电极包括：第一层，其由金属或金属硅化物制成；和第二层，其形成于所述第一层上，并且由金属氮化物制成，所述下部电极由所述第一层和所述第二层层叠而成，并且形成为仅使所述第一层与该第一层下方的层接触，并且仅使所述第二层与作为该第二层上方的层的所述存储层接触，所述存储层形成为被多个存储单元共用，并且所述上部电极形成为被所述多个存储单元共用。
【技术特征摘要】
2010.06.15 JP 2010-1364601.一种存储装置，其包括：下部电极，其为每个存储单元单独形成；存储层，其形成于所述下部电极上，并且能够根据电阻值的变化而记录信息，所述存储层的所述电阻值的变化是凭借设置为与所述存储层接触的离子源层而产生的；和上部电极，其形成于所述存储层上，其中，所述下部电极包括：第一层，其由金属或金属硅化物制成；和第二层，其形成于所述第一层上，并且由金属氮化物制成，所述第一层的表面被所述第二层覆盖，并且仅使所述第二层与所述存储层接触，其中，所述存储层形成为被多个存储单元共用，并且所述上部电极形成为被所述多个存储单元共用。2.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一层的所述金属选自于Ti、Co、Ni、W和Ta中的一种以上，且使用所述第一层中金属的氮化物作为所述第二层的材料。3.如权利要求1所述的存储装置，其还包括与所述下部电极下方的层接触并且由多晶硅制成的插塞层。4.一种存储装置，其包括：下部电极，其为每个存储单元单独形成，所述下部电极包括第一层和第二层，所述第二层形成于所述第一层上，且所述第一层的表面被所述第二层覆盖；存储层，其形成于所述下部电极上，并且能够根据电阻值的变化而记录信息，所述存储层的所述电阻值的变化是凭借设置为与所述存储层接触的离子源层而产生的；上部电极，其形成于所述存储层上；和插塞层，其形成为与所述下部电极的所述第一层接触，并且由多晶硅制成，其中，所述下部电极包括由金属硅化物制成的层；所述存储层形成为被多个存储单元共用；并且所述上部电极形成为被所述多个存储单元共用。5.如权利要求4所述的存储装置，其中，所述第一层的金属选自于Ti、Co、Ni、W和Ta中的一种以上，且使用所述第一层中金属的氮化物作为所述第二层的材料。6.一种制造存储装置的方法，该存储装置包括为每个存储单元单独形成的下部电极、形成于所述下部电极上并且能够根据电阻值的变化而记录信息的存储层以及形成于所述存储层上的上部电极，所述方法包括：在绝缘层中形成用于连接至所述绝缘层下方的层的连接孔；在所述连接孔以及所述绝缘层的表面上形成厚度小于所述连接孔的深度的金属膜；填充所述连接孔，以在所述金属膜的表面上形成金属氮化物层；进行平坦化处理，以去除存在于所述绝缘层上的所述金属膜和所述金属氮化物层；使所述金属膜中的靠近所述平坦化后的表面的部分氮化并形成为所述金属氮化物层；并且在包括所述金属膜和所述金属氮化物层的所述下部电...
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