包含钌掺杂的氧化钽基电阻型存储器及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体存储器技术领域，具体为包含钌掺杂的氧化钽基电阻型存储器。该电阻型存储器包括上电极、下电极、以及设置在上电极和下电极之间的包含钌掺杂的氧化钽基存储介质层。包含Ru掺杂的氧化钽基存储介质层中，通过分布的Ru元素，可以有效控制氧化钽基存储介质层中导电灯丝中形成的位置以及数量，避免了随机形成的可能。因此，该存储器性能更加稳定，器件性能参数的波动小。同时，易于与32纳米或者32纳米以下铜互连工艺集成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体存储器
，具体涉及基于金属氧化物氧化钽(TaOx， 2 ^ χ ^ 3)的电阻型存储器(Resistive Memory)及其制备方法，尤其涉及一种以包含钌 (Ru)掺杂的氧化钽基作为存储介质的电阻型存储器及其制备方法。
技术介绍
存储器在半导体市场中占有重要的地位，由于便携式电子设备的不断普及，不挥发存储器在整个存储器市场中的份额也越来越大，其中90%以上的份额被FLASH(闪存) 占据。但是由于存储电荷的要求，FLASH的浮栅不能随技术代发展无限制减薄，有报道预测 FLASH技术的极限在32nm左右，这就迫使人们寻找性能更为优越的下一代不挥发存储器。 最近电阻型转换存储器件(Resistive Switching Memory)因为其高密度、低成本、可突破技术代发展限制的特点引起高度关注，所使用的材料有相变材料、掺杂的SrfrO3、铁电材料 PWrTiO3、铁磁材料PivxCaxMnO3、二元金属氧化物材料、有机材料等。电阻型存储器(Resistive Memory)是通过电信号的作用、使存储介质在高电阻状态(High Resistance State本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种氧化钽基电阻型存储器，包括上电极、下电极，其特征在于，还包括设置在上电极和下电极之间的包含钌掺杂的氧化钽基存储介质层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林殷茵，田晓鹏，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31