【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻机，尤其涉及一种。
技术介绍
光刻技术是极大规模集成电路制造工艺中的核心技术，它影响着极大规模集成电路制造工艺所能实现的技术节点。步进扫描投影光刻机是用于光刻工艺的重要设备，其中投影物镜系统是光刻机的重要分系统之一。投影物镜波像差对光刻过程有重要影响。根据波像差分布特点，波像差可分为奇像差和偶像差，例如彗差和三波差即为奇像差，球差和像散则为偶像差。彗差和三波差导致掩模图形经过投影物镜成像后位置发生偏移、图形线宽不对称等，影响光刻机的套刻精度、增加光刻成像的CD不均勻性。随着光刻机的特征尺寸不断减小，光刻工艺对投影物镜波像差的检测和控制要求也愈来愈高，因此快速、高精度地检测投影物镜波像差，是降低和调整波像差的前提条件，对提高光刻成像质量具有重要意义。TAMIS (TIS At Multiple Illumination Settings)技术是国际上用于检测投影物镜波像差的重要技术之一，它是一种基于空间像的检测技术。参见在先技术1， Hans van der Laan, Marcel Dierichs， Henk van Greevenbroek...
【技术保护点】
１．一种光刻机投影物镜奇像差原位检测系统，包括产生照明光束的光源（１）、调整光源（１）发出的光束的照明方式和部分相干因子并使光束均匀照明的照明系统（２）、搭载掩模并利用定位装置（６）实现精确定位的掩模台（３）、包含检测标记（５）的掩模（４）、能将掩模图形成像且数值孔径可调的投影物镜（７）、搭载硅片并利用定位装置（１０）实现精确定位的工件台（８）、安装在工件台（８）上的记录所述掩模成像的光强分布的像传感装置（９）和数据处理装置（１１），其特征在于所述的检测标记（５）为两组双线图形，即Ｘ方向检测标记（５１）和Ｙ方向检测标记（５２），用于分别检测Ｘ方向和Ｙ方向奇像差，且双线图形为...
【技术特征摘要】
1.一种光刻机投影物镜奇像差原位检测系统，包括产生照明光束的光源(1)、调整光源(1)发出的光束的照明方式和部分相干因子并使光束均勻照明的照明系统O)、搭载掩模并利用定位装置(6)实现精确定位的掩模台(3)、包含检测标记(5)的掩模0)、能将掩模图形成像且数值孔径可调的投影物镜(7)、搭载硅片并利用定位装置(10)实现精确定位的工件台(8)、安装在工件台(8)上的记录所述掩模成像的光强分布的像传感装置(9)和数据处理装置(11)，其特征在于所述的检测标记(5)为两组双线图形，即X方向检测标记 (51)和Y方向检测标记(52)，用于分别检测X方向和Y方向奇像差，且双线图形为透光区域，其余为不透光区域，所述的双线图形的线宽变化范围为150 300nm，两线之间不透光区域宽度的变化范围为100 300nm。2.根据权利要求1所述的光刻机投影物镜奇像差原位检测系统，其特征在于所述的光源(1)和照明系统O)实现部分相干因子可调的传统照明和环形照明两种照明方式，传统照明中部分相干因子的取值范围为0. 3 0. 8，环形照明中环带的外相干因子和内相干因子的差值为0. 2，环中心相干因子的取值范围为0....
【专利技术属性】
技术研发人员：涂远莹，王向朝，步扬，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：31
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