【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种。
技术介绍
随着半导体制造工艺的发展，半导体芯片的面积越来越小，因此半导体工艺的精度也变得更加重要。在半导体制造工艺中，其中一个重要的工艺就是光刻，光刻是将掩膜版图案转移为晶片上的光刻图案的工艺过程，因此光刻图案的质量会直接影响到最终形成的芯片的性能。曝光能量是影响光刻图案质量的一个重要参数，如果曝光能量控制得不恰当，将会使得光刻图案的实际关键尺寸(CD)与标准CD之间存在比较大的差异，通常我们将实际 ⑶与标准⑶的差值称为⑶偏差。在现有技术中，为了尽可能地减小CD偏差，一般采用如下的曝光能量控制方法；步骤一，预先确定曝光能量偏差与⑶偏差的第一比例系数。在实际应用中，曝光能量偏差与CD偏差具有线性比例关系，若ΔΕ表示曝光能量偏差，Δ⑶表示⑶偏差，a表示曝光能量偏差与⑶偏差的线性比例系数，则AE = a*ACD。为了确定第一比例系数a，可预先使用控片进行如下实验Α:每改变一次曝光能量后，在光阻(PR)上施加相同的掩膜版，然后进行曝光和显影，从而生成光刻图案，然后采用激光量测机台量测光刻图案中I3R的实际CD，这样就获得了...
【技术保护点】
１．一种曝光能量的控制方法，该方法包括：Ａ、预先确定曝光能量偏差与关键尺寸ＣＤ偏差的第一比例系数ａ；获取第ｉ批次晶片的第ｊ结构层光刻图案的ＣＤ偏差ΔＣＤｉ，ｊ，其中，ｉ为大于等于１的正整数，ｊ为大于等于１且小于等于结构层总层数的正整数；根据ΔＣＤｉ，ｊ和预先确定的第一比例系数ａ，确定第ｉ批次晶片的第ｊ结构层光刻图案的第一曝光能量偏差ΔＥｉ，ｊ，将ΔＥｉ，ｊ与第一百分比系数ａ’的乘积作为第ｉ批次之后的第ｉ＋１批次晶片的第ｊ结构层光刻图案的第一曝光能量校正因子ｅｉ＋１，ｊ，其中，第一百分比系数ａ’为大于０且小于１的常数；Ｂ、预先确定曝光能量偏差与光阻ＰＲ厚度偏差的第二比例系数ｂ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冷继斌，罗大杰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。