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本发明公开了一种曝光能量的控制方法，该方法包括：确定第i批次之后的第i+1批次晶片的第j结构层光刻图案的第一曝光能量校正因子ei+1，j和第二曝光能量校正因子fi+1，j，计算第i+1批次晶片的第j结构层光刻图案的预设曝光能量Ei+1，j、...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种曝光能量的控制方法，该方法包括：确定第i批次之后的第i+1批次晶片的第j结构层光刻图案的第一曝光能量校正因子ei+1，j和第二曝光能量校正因子fi+1，j，计算第i+1批次晶片的第j结构层光刻图案的预设曝光能量Ei+1，j、...