一种用于DUV光刻装置的掩模对准面形探测装置制造方法及图纸

技术编号:6865098 阅读:291 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种用于DUV光刻装置的掩模对准面形探测装置,包括:面形探测标记,包含多个独立的探测标记;光学滤波器,包含多个光学滤波器单元,将DUV转化成可见光;面形的硅光电二极管,包括多个独立的单元;放大器,包括多路放大器单元;信号处理元件,具有多个信号处理单元;模数转换元件,具有多个模数转换单元对相应的信号处理单元输出的模拟信号进行模数转换;运算处理元件和上位机;其中,面形探测装置具有多个探测单元,每个探测单元都有相应的一个探测标记、一个光学滤波器单元、一个硅光电二极管单元,一个放大器单元、一个信号处理单元、一个模数转换单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻领域,尤其涉及一种用于DUV光刻装置掩模对准面形探测装置。
技术介绍
光刻机属于芯片制造的工艺线上的一类关键设备,其原理就是利用投影镜头,通过照明光源照射掩模板,将掩模上的图案,曝光到硅片上的指定的位置。为了将掩模上的图案准确的曝光到指定位置,需要配备掩模对准系统。掩模对准系统,是在硅片面上,使用探测器去探测掩模板上掩模标记的成像,获取成像位置。掩模与硅片的位置关系是通过掩模对准和硅片对准来实现的。现有的掩模对准的探测装置,其探测单元数与掩模标记的单元数目相当,探测标记尺寸与掩模标记成像的尺寸相当,所以在进行掩模标记的捕获过程中,即相当于点对点的探测,很难快速直接找到标记成像位置。一般采用的方法是在掩模台基准板上或掩模板上加入专用的捕获的标记,该标记尺寸比标准的掩模对准标记尺寸要大,即掩模台基准板或掩模板上需要专门留出一定的捕获标记布局区域。占用了一定的资源(对于掩模板)。而在标记成像位置的捕获过程中,由于不是采用的面型探测装置,需要进行多次水平向和垂向扫描对准,以逐级进行标记的捕获。尤其是粗扫描,相比精扫描,其扫描长度长,相邻采样点时间间隔长,占用的系统的时间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于DUV光刻装置的掩模对准面形探测装置,该装置包括探测部分和处理部分,其中探测部分包括:面形探测标记,包含多个独立的探测标记;光学滤波器,包含多个光学滤波器单元,将DUV转化成可见光;面形的硅光电二极管,包括多个独立的单元,对转化后的可见光进行探测;放大器,包括多路放大器单元,对面形的硅光电二极管的每个单元输出的信号进行放大;处理部分包括:信号处理元件,具有多个信号处理单元,对从信号输出线缆输出的放大器的信号进行处理;模数转换元件,具有多个模数转换单元对相应的信号处理单元输出的模拟信号进行模数转换;运算处理元件,控制模数转换元件并接收转换后的数字信号,对数字信号进行处理,直接换算出标...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王海江唐文力李运锋程鹏陈振飞宋海军韦学志胡明辉
申请(专利权)人:上海微电子装备有限公司上海微高精密机械工程有限公司
类型:发明
国别省市:31

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