曝光区域之间图形偏移量的检测方法及测试图形技术

本发明专利技术提供一种曝光区域之间图形偏移量的检测方法及测试图形，能够快速和实时地对曝光区域之间图形偏移量进行检测，提高不良检出率与良率。包括：通过两次曝光和其他构图工艺得到至少一对具有特定位置关系的导电测试图形；对至少一对导电测试图形进行电学特性检测，若电学特性不符合所述特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量不合格；若电学特性符合所述特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量合格。本发明专利技术用于曝光区域之间图形偏移量的检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，尤其涉及一种曝光区域之间图形偏移量的检测方法及测试图形。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)因其体积小，功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。TFT-LCD器件是由阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板对合而形成的。在阵列基板中相互交叉地配置定义像素区域的栅极线和信号线，在各像素区域中配置像素电极和薄膜晶体管。将驱动信号施加到栅极线上，图像数据通过信号线施加到像素电极。在彩膜基板上配置黑底，使光不能透过除了像素电极以外的区域，在各像素区域配置滤色层，在此基础上在配置公共电极。在阵列基板和彩膜基板中充入液晶，通过上述的加载驱动和信号的像素电极的电压来控制液晶的偏转来控制光线的强弱，配合彩膜基板的功能，在基板上显示出所要表达的图像。目前的TFT-LCD生产流程中，在各个工程结束的时候，都需要对同一层的各个曝光区域之间图形的偏移量进行检测，以保证同一层各个曝光区域之间的图形能够实现均勻的排列。其测试过程，如图1所示，在对第一区域进行曝光的时候，除了形成TFT-LCD图形区域1之外，在图形区域1周边同时形成了一系列测试光刻胶图形2，其图形可以是矩形，圆形等图形(如图1 (a)所示)。然后对下一区域进行曝光的时候，除了形成图形区域3之外， 也会在上一次曝光形成的图形区域1上再完成一次曝光，形成一个比图形2略小的没有光刻胶的区域4(如图1(b)所示)。当前后两次曝光之间的偏移量在规定标准之内时，图形4 会位于图形2的区域之内，二者形成完整的环形结构。通过显微镜、照相机、图像处理装置等检测该环形结构上下左右的偏移量，判断出工程偏移量的大小。但专利技术人发现，现有技术对各曝光区域之间图形偏移量的检测需要耗费较长时间，进而无法实现玻璃基板的全检，很容易发生漏检而使不良品流入后续工艺。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种曝光区域之间图形偏移量的检测方法及测试图形，能够快速和实时地对曝光区域之间图形偏移量进行检测，提高不良检出率与良率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种曝光区域之间图形偏移量的检测方法，包括通过两次曝光和其他构图工艺得到至少一对具有特定位置关系的导电测试图形；对至少一对导电测试图形进行电学特性检测，若电学特性不符合所述特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量不合格；若电学特性符合所述特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量合格。本专利技术提供的曝光区域之间图形偏移量的检测方法，通过两次曝光和其他构图工艺得到至少一对具有特定位置关系的导电测试图形；对至少一对导电测试图形进行电学特性检测，若电学特性不符合特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量不合格；若电学特性符合特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量合格。利用电学特性检测多次曝光的图形的偏移量，能够实现快速与实时，进而可以实现针对基板的全检，从而提高不良检出率与良率。本专利技术还提供一种曝光区域之间图形偏移量的检测测试图形，包括位于曝光区域周边区域的成对设置的导电的第一测试图形和第二测试图形；所述第一测试图形与所述第二测试图形位于同一层，且所述第一测试图形与所述第二测试图形之间间隔规定距离相互绝缘。本专利技术提供的曝光区域之间图形偏移量的检测测试图形，包括位于曝光区域周边区域的成对设置的导电的第一测试图形和第二测试图形；该第一测试图形与第二测试图形位于同一层，且第一测试图形与第二测试图形之间间隔规定距离相互绝缘。这样，可以通过向第一测试图形和第二测试图形加载电流来检测曝光区域之间图形偏移量，如果原来绝缘的两个测试图形仍然绝缘，说明曝光区域之间图形偏移量合格，如果两个测试图形导通，则说明曝光区域之间图形偏移量不合格。这种利用电学特性检测多次曝光的图形的偏移量， 能够实现快速与实时，进而可以实现针对基板的全检，从而提高不良检出率与良率。本专利技术还提供一种曝光区域之间图形偏移量的检测测试图形，包括位于曝光区域周边区域的成对设置的导电的第一测试图形和第二测试图形；所述第一测试图形与所述第二测试图形以规定的相对位置位于不同层，且所述第一测试图形与所述第二测试图形之间有绝缘层。本专利技术提供的曝光区域之间图形偏移量的检测测试图形，包括位于曝光区域周边区域的成对设置的导电的第一测试图形和第二测试图形；该第一测试图形与第二测试图形以规定的相对位置位于不同层，且第一测试图形与第二测试图形之间有绝缘层。这样，可以通过向第一测试图形和第二测试图形加载电压判断两测试图形之间的电容变化来检测曝光区域之间图形偏移量，如果电容值与规定值之间的差值在规定范围内，则确定两层的曝光图形偏移量合格，若电容值与规定值之间的差值在规定范围外，则确定两层的曝光图形偏移量不合格。这种利用电学特性检测多次曝光的图形的偏移量，能够实现快速与实时，进而可以实现针对基板的全检，从而提高不良检出率与良率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中曝光区域之间图形偏移量的检测的示意图；图2为本专利技术实施例提供的曝光区域之间图形偏移量的检测方法的流程框图；图3为本专利技术另一实施例提供的曝光区域之间图形偏移量的检测方法的流程框图；图4为本专利技术实施例提供的第一测试图形的形成示意图；图5为本专利技术实施例提供的第二测试图形的形成示意图；图6为本专利技术实施例提供的测试图形的示意图；图7为本专利技术实施例提供的基板的测试图形的示意图；图8(a) (b)为本专利技术实施例提供的测试图形的示意图；图9为本专利技术又一实施例提供的曝光区域之间图形偏移量的检测方法的流程框图；图10为本专利技术实施例提供的第一、第二测试图形的对应关系示意图一；图11为本专利技术实施例提供的第一、第二测试图形的对应关系示意图二。符号说明1、第一区域 2、第一测试图形 3、第二区域 4、第二测试图形 6、第一测试图形7、第二测试图形8、连接端a、纵向间距b、横向间距9、引脚10、引脚11、测试图形12、基板101、第一区域201、第一区域1001、第一测试图形 1002、第二测试图形1101、第一测试图形1102、第二测试图形具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供的曝光区域之间图形偏移量的检测方法，如图2所示，包括S201、通过两次曝光和其他构图工艺得到至少一对具有特定位置关系的导电测试图形。S202、对至少一对导电测试图形进行电学特性检测，若电学特性不符合该特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量不合格；若电学特性符合该特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量合格。本专利技术提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种曝光区域之间图形偏移量的检测方法，其特征在于，包括：通过两次曝光和其他构图工艺得到至少一对具有特定位置关系的导电测试图形；对至少一对导电测试图形进行电学特性检测，若电学特性不符合所述特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量不合格；若电学特性符合所述特定位置关系，则确定两次曝光区域之间的曝光图形偏移量合格。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建，周伟峰，明星，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11