【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻领域，尤其涉及。
技术介绍
光刻装置主要用于集成电路工C或其它微型器件的制造。通过光刻装置，可将掩模图形成像于涂覆有光刻胶的晶片上，例如半导体晶片或LCD板。光刻装置通过投影物镜曝光，将设计的掩模图形转移到光刻胶上，而作为光刻装置的核心元件，投影物镜的像面位置对光刻成像质量有重要影响。为了获得最佳的成像效果，在曝光时，涂有光刻胶的晶片上表面需置于最佳像面高度。因此，在系统集成阶段，需精密地确定物镜最佳像面位置。已知的方法是通过机械工装方式保证物面或像面的精度，然而，机械工装的精度一般为μ m量级，如要进一步提高精度，会增大加工的复杂度，也会大幅增加制造成本，且不利于进行在线测量。美国专利US5856052就揭露了一种通过步进曝光确定像面位置的方法。即利用曝光的方法，通过在一定的范围内步进搜索，可得成像质量相对较佳的像面位置。这种利用曝光的方法测量时间长，测量方法复杂，不易操作。因此，如何提供一种测量方法简单、快速、测量精度更高的测量方法，已成为业界研究的一大问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种测量方法简单、快速、测量精度更高的光刻机像...
【技术保护点】
１．一种光刻机投影物镜像面在线测量标记，所述标记由周期分布的子标记组成，其特征在于，所述子标记中包括多种不同的线条标记。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李术新，毛方林，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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