绝缘体上硅MOS晶体管结构制造技术

根据本发明专利技术的绝缘体上硅MOS晶体管结构包括：背部栅极，布置在背部栅极上的体区氧化层、布置在体区氧化层上的硅片层；布置在硅片层中的第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、以及有源区。其中，有源区包括源极区域S以及漏极区域。其中，在第一方向上，依次布置了第一浅沟槽隔离区的第一部分、第二浅沟槽隔离区的第一部分、有源区、第二浅沟槽隔离区的第二部分、第一浅沟槽隔离区的第二部分；并且在第二方向上，依次布置了漏极区域、沟道区域、源极区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件设计，更具体地说，本专利技术涉及一种绝缘体上硅的金属-氧化物-半导体(SOI M0S)晶体管结构。
技术介绍
金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管是一种现在常用的晶体管结构。图1示出了根据现有技术的绝缘体上硅MOS晶体管的截面结构示意图，并且相应地图2示出了根据现有技术的绝缘体上硅MOS晶体管的立体结构示意图。其中，图1和图 2相同的部分标有相同的参考标号。如图1和图2所示，所关注的绝缘体上硅MOS晶体管结构包括背部栅极BG，布置在背部栅极BG上的体区氧化层BOX，布置在体区氧化层BOX上的顶层硅TS，布置在顶层硅TS 中的浅沟槽隔离区STI，布置在顶层硅TS中的漏极区域D、源极区域S、另一浅沟槽隔离区 VSTI和偏置区B ；此外，绝缘体上硅MOS晶体管结构还包括布置在源极区域S和漏极区域D 之间的一个栅极结构G。但是，通常，现有技术的绝缘体上硅MOS晶体管在浅沟槽隔离(STI)的边缘处存在由于等离子体或栅极氧化物所引起的寄生晶体管。并且，绝缘体上硅(SOI)在顶部栅极以及背部栅极晶体管处均存在等离子体所引起的寄生晶体管泄漏，如图2的椭圆虚线框所7J\ ο因本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种绝缘体上硅ＭＯＳ晶体管结构，其特征在于包括：背部栅极，布置在背部栅极上的体区氧化层、布置在体区氧化层上的硅片层；所述绝缘体上硅ＭＯＳ晶体管结构还包括：布置在硅片层中的第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、以及有源区；其中，有源区包括源极区域Ｓ以及漏极区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙飞，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31