硅蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法，所述蚀刻液用于晶体管的制造方法中的由硅形成的虚拟栅的蚀刻，选择性地蚀刻该由硅形成的虚拟栅，所述晶体管的制造方法为：利用去除由硅形成的虚拟栅并将其替换为铝金属栅的方法，来制造具有至少由高介电材料膜和铝金属栅形成的层叠体的晶体管的方法。一种硅蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法，其用于上述由硅形成的虚拟栅的蚀刻，所述硅蚀刻液含有：选自氨、二胺以及通式(1)表示的多胺中的至少一种碱性化合物0.1～40重量%，选自通式(2)表示的多元醇中的至少一种5～50重量%，以及水40～94.9重量%。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法，其用于晶体管的制造方法中的由硅形成的虚拟栅的蚀刻，选择性地蚀刻该由硅形成的虚拟栅，该晶体管的制造方法的特征在于，使用具有至少层叠高介电材料膜和由硅形成的虚拟栅而成的虚拟栅层叠体的结构体，将该虚拟栅替换为铝金属栅。
技术介绍
一直以来，半导体通过缩小晶体管的栅长度、栅厚度的所谓微细化来改善性能、成本、功耗。但是，为了达成当今要求的微细化，对于使用氧化硅的现有栅绝缘膜而言，栅厚度变得过薄，隧道电流引起的泄漏电流增大，功耗变大。进而，近年来，使用半导体元件的设备中，移动电话、笔记本电脑、便携式音乐播放器等随身携带着使用的设备逐渐变多。此时，往往由可充电电池来供给电力，因此，以长时间使用为目标，对半导体元件要求低功耗。因此，为了减少待机时的泄漏电流，设想出了如下技术:作为构成晶体管的绝缘材料与栅电极的组合，使用高介电材料与金属栅来代替一直以来使用的氧化硅与多晶硅。此时，作为可选择的金属之一，可列举出铝(专利文献I)。对于该高介电材料和金属栅的制造方法提出了各种各样的方案，作为方法之一，有如下的被称为后栅极(gate-last)的方法:以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.31 JP 2010-1943891.一种娃蚀刻液，其含有选自氨、二胺以及通式(I)表不的多胺中的至少一种碱性化合物0.1 40重量％，选自通式(2)表示的多元醇中的至少一种5 50重量％，以及水40 94.9重量％，其用于晶体管的制造方法中的由硅形成的虚拟栅的蚀刻，该晶体管的制造方法的特征在于，使用在基板上具有至少层叠高介电材料膜和由硅形成的虚拟栅而成的虚拟栅层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁以及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜的结构体，将该虚拟栅替换为铝金属栅，H2N-(CH2CH2NH)111-H…(I) 其中，m为疒5的整数，H-(CH(OH))n-H…(2) 其中，n为:Te的整数。2.根据权利要求1所述的硅蚀刻液，其中，二胺和通式(I)表示的多胺为选自乙二胺、1，2-丙二胺、1，3-丙二胺、二乙三胺以及三乙四胺中的至少一种。3.根据权利要求1所述的硅蚀刻液，其中，通式(2)表示的多元醇为选自甘油、内消旋赤藓糖醇、木糖醇以及山梨糖醇中的至少一种。4.根据权利要求1所述的硅蚀刻液,其中，形成高介电材料膜的高介电材料为Hf02、HfSiO, HfSiON, HfLaO, HfLaON, HfTiSiON, HfAlSiO...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛田宪司，松永裕嗣，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：
国别省市：