【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术中的硅片清洗
，尤其涉及一种超临界水射流清洗设备，利用超临界水的理化性质实现对半导体硅片的有效清洗。
技术介绍
随着半导体技术不断向更小的技术节点延伸，硅片清洗技术不断受到挑战。在整个半导体制程中，清洗占了三分之一以上。传统清洗技术，不仅大量消耗纯水和化学试剂， 而且洗净力也越来越无法满足新技术的要求。以超临界二氧化碳、超临界水为代表的超临界清洗工艺，在去胶、金属剥离、颗粒去除等方面，均显示出其在半导体工业中极好的应用前景。但是超临界流体技术的应用，往往伴随高压设备，在安全性方面的隐患不容忽视。通过在硅片表面制造局部超临界环境，则可以在利用超临界流体卓越的理化性质的同时，避免高压设备带来的安全问题。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种超临界水射流清洗设备，以克服传统清洗的困难，并解决常规超临界清洗设备中大型高压腔室带来的安全隐患问题。( 二 )技术方案为达到上述目的，本专利技术提供了一种超临界水射流清洗设备，该设备包括超临界水射流生成装置1、清洗室2和清洗产物回收处理装置3，其中，超临界水...
【技术保护点】
１．一种超临界水射流清洗设备，其特征在于，该设备包括超临界水射流生成装置（１）、清洗室（２）和清洗产物回收处理装置（３），其中，超临界水射流生成装置（１）中的超临界水以射流形式到达清洗室（２）中的硅片，并在硅片表面形成超临界水恒温恒压微环境，利用超临界水的物理及化学性质，对硅片表面实施无损清洗，自清洗室排出的液体由清洗产物回收处理装置（３）收集，并对该液体进行除杂及净化处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高超群，景玉鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11
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