【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
半导体晶片的制造过程包括有前段工艺(front end of line, FEOL)和后段工艺 (back end of line，BEOL)。无论在前段工艺还是后段工艺中，都可能产生不必要的污染物；例如在以布线工艺为主的后段工艺中，进行元件间金属互连时，金属的颗粒物(如铜) 以及其他污染物(如光刻胶等)经常会附着于晶片基底面，所述基底面为半导体生长面的相对面。其次，在光刻工艺中，前段工艺与后段工艺大多是共用光刻设备，更容易将后段工艺中的污染物，如金属铜等大型的颗粒物带入前段工艺，引起交叉污染。尤其地，前段工艺所需要形成的器件的精度较高，因此，在制作之前，需要对晶片进行清洗以去除上述污染物。图1为现有技术用于在后段工艺后，对所述晶片的基底进行清洗的装置，包括固定机台101，所述固定机台101用于承载并固定晶片102，晶片102通过固定机台101的旋转，以相同速度旋转进行清洗工艺，其中，所述晶片102的基底面朝上放置；其中，所述固定机台101放置于反应清洗腔103的内腔中，所述反应清洗腔103的侧壁上具有位于不...
【技术保护点】
１．一种晶片清洗方法，包括：将晶片置于反应清洗腔内的固定机台上；旋转固定机台；通过固定机台上方的喷嘴喷洒清洗溶液，对晶片进行清洗；其特征在于，晶片旋转与清洗溶液喷洒同时进行。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘焕新，保罗，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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