电子发射元件及其生成方法技术

本发明专利技术提供了一种电子发射元件，该电子发射元件包括：第一电极；形成于第一电极上的且由绝缘精细颗粒构成的绝缘精细颗粒层；以及形成于绝缘精细颗粒层上的第二电极，其中绝缘精细颗粒是单分散精细颗粒，并且当在第一电极与第二电极之间施加电压时，电子被从第一电极释放到绝缘精细颗粒层中并且通过绝缘精细颗粒层被加速，以从第二电极发射。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种通过施加电压而发射电子的。
技术介绍
传统地，MIM(金属绝缘体金属)型和MIS (金属绝缘体半导体)型电子发射元件已为大家所熟知。这些电子发射元件是表面发射型电子发射元件，其每一个通过利用量子尺寸效应以及元件中的强电场来使电子加速以便从元件的平坦表面发射电子。这些电子发射元件在元件外部不需要强电场，因为将在元件中的电子加速层中所加速的电子发射到外部。因此MIM型和MIS型电子发射元件可克服通过由于对气体分子电离所引起的溅射造成的击穿元件的问题以及产生臭氧的问题，这些问题在Spindt型、CNT(碳纳米管)型、以及 BN(氮化硼)型电子发射元件中是可能的。另外，已开发了可使电子发射在大气中稳定并且阻止在发射电子时产生诸如臭氧和NOx这样的有害物质的电子发射元件。例如，包括位于电极之间的下述电子加速层的电子发射元件已为大家所熟知，所述电子加速层包含由导电体构成的并且具有强大的抗氧化作用的导电精细颗粒；以及其大小比导电精细颗粒的大小要大的绝缘材料(例如，日本未审查专利公开No. 2009-146891)。然而，希望改善上述电子发射元件的电力消耗，因为元件中的电流趋向本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种电子发射元件，包括：第一电极；绝缘精细颗粒层，形成在所述第一电极上并且由绝缘精细颗粒构成；以及第二电极，形成在所述绝缘精细颗粒层上，其中所述绝缘精细颗粒是单分散精细颗粒，并且当在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压时，电子被从所述第一电极释放到所述绝缘精细颗粒层中并且通过所述绝缘精细颗粒层被加速，以从所述第二电极发射。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：长冈彩绘，平川弘幸，井村康朗，平田佳奈子，岩松正，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP