封装基板及其制造方法技术

一种封装基板及其制造方法。封装基板包括一第一介电层、一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第二介电层及一第四金属层。第一介电层具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之间。第一金属层内埋于第一凹槽内。第二金属层内埋于第二凹槽内。第三金属层内埋于第三凹槽内。第三金属层的上表面低于第一介电层的上表面。第二介电层设置于第二凹槽内，并覆盖至少部份的第三金属层。第四金属层覆盖部份的第一介电层及第二介电层，并电性连接第一金属层及第二金属层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种基板及其制造方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
随着半导体技术的进步，各式电子产品不断推陈出新。其中电子产品中最重要的就属半导体芯片、主动组件或被动组件等封装结构。一般而言，在封装工艺中，裸芯片、主动组件或被动组件经过打线接合步骤或覆晶接合步骤将其电性连接并设置于封装基板上。然后，再经过封胶步骤将裸芯片、主动组件或被动组件予以保护。在技术提升的情况下，裸芯片、主动组件或被动组件的线路越来越密集。因此，目前封装产业均致力于研究如何在有限的厚度下，提升封装基板的精密度，以符合技术要求。
技术实现思路
本专利技术有关于一种，其利用半蚀刻的内埋金属层，并于其上覆盖另一金属层的方式完成跳线结构，使得跳线结构可以在极小的厚度的封装基板内完成，以提升封装基板的精密度。根据本专利技术的一方面，提出一种封装基板。封装基板包括一第一介电层、一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第二介电层及一第四金属层。第一介电层具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之间。第一金属层内埋于第一凹槽内。第二金属层内埋于第二凹槽内。第三金属层内埋于第三凹槽内。第三金本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种封装基板，包括：一第一介电层，具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽，该第三凹槽位于该第一凹槽及该第二凹槽之间；一第一金属层，内埋于该第一凹槽内；一第二金属层，内埋于该第二凹槽内；一第三金属层，内埋于该第三凹槽内，该第三金属层的上表面低于该第一介电层的上表面；一第二介电层，设置于该第三凹槽内，并覆盖至少部份的该第三金属层；以及一第四金属层，覆盖部份的该第一介电层及该第二介电层，并电性连接该第一金属层及该第二金属层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朴珠炫，洪荣文，金锡奉，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71