【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体器件，特别涉及一种单层芯片超高压半导体整流器。
技术介绍
普通型超高压半导体整流二极管，它是一种半导体整流器件，广泛应用于各种离频电源、汽车等消费电子、消毒器、电脑显示器、负离子发生器、以及高档的电蚊拍等设施中。其输出电流从20毫安到1000毫安分类不等，反向击穿电压据芯片规格不同有3000V、 4000V、5000V到上万伏等类别。目前，产品是通过3层或以上芯片叠加焊接完成，其反向电压可以达到4000V、5000V及上万伏的标准，但其正向压降在4伏以上。
技术实现思路
本技术公开了一种单层芯片超离压半导体整流器，对现有同类产品进行了改进，使其正向压降低、效率高、节能。为了实现上述技术效果，本技术采用的技术方案如下包括单层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线焊接，硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除铜引线两端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。其中，所述单层硅芯片由区熔硅片扩散而成。本技术的有益效果是将同类产品的多层硅芯片叠焊的结构改为单层硅芯片，其正向压降只有同等电压水平产品的三分之一，这样就可使产品的正向压降得到明显改善，因此本技术不仅有耐压高的特点，而且具有正向压降低、效率高、节能等特点。附图说明图1为本技术结构图。具体实施方式为了使本技术更容易被理解，以下结合附图和具体实施方式对本技术做更详细说明。参阅图1，一种超高压半导体整流器，包括单层硅芯片3、两铜引线2、环氧塑封体 1，单层硅芯片3位于两铜引线2端面之间，通过焊料与铜引线2焊接...
【技术保护点】
１．一种单层芯片超高压半导体整流器，其特征在于：包括由区熔硅片扩散而成的单层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，单层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线焊接，硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除铜引线两端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王震，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：85
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