【技术实现步骤摘要】
本申请涉及mos管测试领域，具体涉及一种p型mosfet线性区soa抗冲击能力的测试系统及一种p型mosfet线性区soa抗冲击能力的测试方法。
技术介绍
1、金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，mosfet)在电脑等电子产品中得到广泛应用。mosfet的安全工作区(safeoperating area，soa)为mosfet可以耐受的单个脉冲电流的能力。通常可以通过单个脉冲时间宽度下，mosfet的漏极到源极电压(vds)和漏极电流(id)的二维坐标图来体现。当工作电压和电流超过限定范围时，mosfet会有烧坏的风险。因此，mosfet特别是在大电流的使用场景中，应当严格参考soa曲线进行电路设计。
2、目前，通常是通过查询器件的规格书选择mosfet。mosfet厂商规格书中会提供soa曲线来指导工程师进行电路设计。然而当mosfet应用在大电流的应用场景中，由于厂商规格书中的soa曲线未经过测试验证，直接参考其来进行电路设计，存在一定的风险。同时，mosfet的soa曲线测试工作量大，并且繁琐，人工手动测试容易出错或者遗漏。
3、因此，如何解决由于无法准确对p型mosfet进行线性区的抗冲击能力评估导致无法选出适合电路需求的p型mosfet成为了技术人员迫切需要解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述相关技术的缺点，本申请提供一种p型mosfet线性区so
2、本申请提供了一种p型mosfet线性区soa抗冲击能力的测试系统，其包括控制模块、运放模块、第一开关模块、第二开关模块、测试模块、采样模块以及第二电源模块，其中，所述控制模块与所述运放模块以及所述第一开关模块电性连接，并与所述第二电源模块进行信息交互，用于提供第二控制信号，并将所述第二控制信号传输至所述运放模块；所述控制模块用于输出电压信号至所述第一开关模块；所述控制模块用于提供开关控制信号，并将所述开关控制信号传输至所述第二电源模块，并输出第一数据信号至所述第二电源模块；所述运放模块均与所述第一开关模块、所述第二开关模块、所述测试模块、所述采样模块以及所述第二电源模块电性连接，用于对所述第二控制信号进行处理，并将处理后的第二控制信号传输至所述第二开关模块；所述第一开关模块均与所述第二开关模块、所述采样模块以及所述第二电源模块电性连接，用于根据所述电压信号控制自身的开启或关闭；所述第二开关模块均与所述测试模块、所述采样模块以及所述第二电源模块电性连接，用于将所述处理后的第二控制信号传输给所述测试模块；所述测试模块均与所述采样模块以及所述第二电源模块电性连接，用于连接待测p型mosfet，并测试待测p型mosfet的线性区soa抗冲击能力；所述采样模块与所述第二电源模块电性连接，用于采集自身电压信号；所述第二电源模块用于根据所述开关控制信号控制自身的打开或关闭，并接收所述第一数据信号，并根据所述第一数据信号输出第二数据信号至所述测试模块；所述第二电源模块用于将所述第二数据信号实时传输至所述控制模块。
3、于本申请的一实施例中，所述p型mosfet线性区soa抗冲击能力的测试系统还包括第一电源模块，其中，所述第一电源模块与所述控制模块以及所述运放模块电性连接，用于为所述控制模块和所述运放模块提供工作电压。
4、于本申请的一实施例中，所述第一数据信号包括测试电压、测试电流以及测试时间中至少一种，所述第二数据信号包括输出电压信号和/或输出电流信号中至少一种。
5、于本申请的一实施例中，所述控制模块包括控制单元、显示单元、信号转换单元以及数据输入单元，其中，所述控制单元与所述第二稳压单元以及所述第一开关模块电性连接，且与所述显示单元、所述信号转换单元、所述数据输入单元以及所述第二电源模块进行信息交互，用于将所述参数信号传输至所述显示单元；所述控制单元用于输出第一控制信号，并将所述第一控制信号传输至所述信号转换单元；所述控制单元用于提供开关控制信号，并输出所述开关控制信号至所述第二电源模块；所述控制单元用于提供电压信号，并输出所述电压信号至所述第一开关模块；所述显示单元用于对所述参数信号进行显示；所述信号转换单元与所述运放模块电性连接，用于将所述第一控制信号转换为所述第二控制信号，并输出所述第二控制信号至所述运放模块；所述数据输入单元用于输入所述参数信号，并将所述参数信号传输至所述控制单元；所述数据输入单元用于输入开启测试指示信号或停止测试指示信号，并将所述开启测试指示信号或所述停止测试指示信号传输至所述控制单元。
6、于本申请的一实施例中，所述运放模块包括运算放大器、第一电容、第一电阻、第二电阻以及第三电阻，其中，所述运算放大器的同相输入端与所述信号转换单元电性连接，所述运算放大器的反相输入端与所述第一电容的一端、所述第一电阻的一端以及所述第三电阻的一端电性连接，所述运算放大器的正电源接口与所述第一稳压单元电性连接，所述运算放大器的负电源接口与所述第一开关模块、所述第二开关模块、所述采样模块以及所述第二电源模块电性连接，所述运算放大器的输出端与所述第一电容的另一端、所述第一电阻的另一端以及所述第二电阻的一端电性连接，用于对所述第二控制信号进行比较得到比较结果，并将所述比较结果传输至所述第二电阻；所述第一电容与所述第一电阻并联，所述第一电容的一端与所述第三电阻的一端电性连接，所述第一电容的另一端与所述第二电阻的一端电性连接；所述第一电阻的一端与所述第三电阻电性连接，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端电性连接；所述第二电阻的另一端与所述第二开关模块电性连接；所述第三电阻的另一端与所述测试模块以及所述采样模块电性连接。
7、于本申请的一实施例中，所述第一开关模块包括第一晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极与所述控制单元电性连接，所述第一晶体管的源极与所述运算放大器的负电源接口、所述第二开关模块、所述采样模块以及所述第二电源模块电性连接，且接地，所述第一晶体管的漏极与所述第二电阻的另一端以及所述第二开关模块电性连接，用于根据所述电压信号控制自身的导通或关断。
8、于本申请的一实施例中，所述第二开关模块包括第四电阻、第五电阻、二极管、第二晶体管以及第六电阻，其中，所述第二晶体管的基极与所述第二电阻的另一端以及所述第一晶体管的漏极电性连接，所述第二晶体管的集电极与所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端电性连接，所述第二晶体管的发射极与所述第六电阻的一端电性连接，用于所述处理后的第二控制信号传输给所述测试模块；所述第四电阻的一端与所述第五电阻电性连接，所述第四电阻的另一端均与所述二极管的负极、所述测试模块以及所述第二电源模块电性连接；所述第五电阻的另一端与所述二极本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其特征在于，包括控制模块、运放模块、第一开关模块、第二开关模块、测试模块、采样模块以及第二电源模块，其中，
2.根据权利要求1所述的P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统还包括第一电源模块，其中，所述第一电源模块与所述控制模块以及所述运放模块电性连接，用于为所述控制模块和所述运放模块提供工作电压。
3.根据权利要求2所述的P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述第一数据信号包括测试电压、测试电流以及测试时间中至少一种，所述第二数据信号包括输出电压信号和/或输出电流信号中至少一种。
4.根据权利要求3所述的P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述控制模块包括控制单元、显示单元、信号转换单元以及数据输入单元，其中，
5.根据权利要求4所述的P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述运放模块包括运算放大器、第一电容、第一电阻、第二电
6.根据权利要求5所述的P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述第一开关模块包括第一晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极与所述控制单元电性连接，所述第一晶体管的源极与所述运算放大器的负电源接口、所述第二开关模块、所述采样模块以及所述第二电源模块电性连接，且接地，所述第一晶体管的漏极与所述第二电阻的另一端以及所述第二开关模块电性连接，用于根据所述电压信号控制自身的导通或关断。
7.根据权利要求6所述的P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述第二开关模块包括第四电阻、第五电阻、二极管、第二晶体管以及第六电阻，其中，
8.根据权利要求7所述的P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述采样模块包括采样电阻，其中，所述采样电阻的一端与所述第三电阻的另一端以及所述测试模块电性连接，所述采样电阻的另一端与所述运算放大器的负电源接口、所述第一晶体管的源极、所述第六电阻的另一端以及所述第二电源模块电性连接，且接地。
9.根据权利要求8所述的P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述控制单元为微控制单元，所述显示单元为液晶显示器，所述信号转换单元为数模转换芯片，所述数据输入单元为4*4矩阵键盘。
10.一种P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法，用于测试P型MOSFET，其特征在于，所述P型MOSFET线性区SOA抗冲击能力的测试方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种p型mosfet线性区soa抗冲击能力的测试系统，其特征在于，包括控制模块、运放模块、第一开关模块、第二开关模块、测试模块、采样模块以及第二电源模块，其中，
2.根据权利要求1所述的p型mosfet线性区soa抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述p型mosfet线性区soa抗冲击能力的测试系统还包括第一电源模块，其中，所述第一电源模块与所述控制模块以及所述运放模块电性连接，用于为所述控制模块和所述运放模块提供工作电压。
3.根据权利要求2所述的p型mosfet线性区soa抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述第一数据信号包括测试电压、测试电流以及测试时间中至少一种，所述第二数据信号包括输出电压信号和/或输出电流信号中至少一种。
4.根据权利要求3所述的p型mosfet线性区soa抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述控制模块包括控制单元、显示单元、信号转换单元以及数据输入单元，其中，
5.根据权利要求4所述的p型mosfet线性区soa抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述运放模块包括运算放大器、第一电容、第一电阻、第二电阻以及第三电阻，其中，
6.根据权利要求5所述的p型mosfet线性区soa抗冲击能力的测试系统，其特征在于，所述第一开关模块包括第一晶体管，其中，所述第一晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈云乔，成亮，敖华阳，顾璐，张航，陈苗，周玉凤，简洋，郭磊，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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