一种芯片双面散热的封装方法技术

本发明专利技术提供一种芯片双面散热的封装方法，包括焊接、键合、喷涂、塑封、减薄和上锡等步骤，其中焊接是通过焊锡膏或纳米银将芯片焊接在引线框架中对应的基岛上，再将CLIP焊接在芯片上，对焊接有芯片和CLIP的引线框架进行清洗；键合采用金线将芯片的栅极和引线框架的管脚相连接，实现内外互连，对完成了引线键合的芯片和框架进行清洗；塑封是采用塑封料将压焊后的引线框架进行包裹，形成塑封体，露出引线框架的管脚；减薄和对塑封体的上表面进行减薄，露出顶部的CLIP作为散热片；上锡和对处于塑封体外部的管脚，以及外露在塑封体外的CLIP进行电镀上锡。与现有技术相比，本方案中能够在保持器件体积小的情况下，增加散热途径，降低电阻，提高散热效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种芯片双面散热的封装方法。

技术介绍

1、针对半导体功率器件的主要部件为芯片，这类器件具有小型化、扁平化的封装要求，行业普遍采用dfn系等封装。在电路板结构中，传统的dfn系封装(单面散热)热量主要通过pcb传导至散热器，pcb板的热阻较大，会产生较大的功率损耗。为了满足散热要求，还需安装较大的散热器进行有效散热，从而导致整个系统体积增大，不利于器件小型化、扁平化的封装。

2、同时，伴随着高频高功率器件需求越来越大，高频高功率带来的高温效应对于器件使用寿命有很大影响，传统单面散热dfn系封装无法满足当前需求。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种芯片双面散热的封装方法，用于解决现有技术中器件在小型化、扁平化的要求下，散热性能不佳的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种芯片双面散热的封装方法包括：

3、焊接，通过焊锡膏或纳米银将芯片焊接在引线框架中对应的基岛上，再将clip焊接在芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片双面散热的封装方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种芯片双面散热的封装方法，其特征在于：所述焊接中，所述引线框架的基岛中部具有第一焊接位，所述芯片的源极上具有第二焊接位，所述引线框架的两个或三个相邻管脚部上具有第三焊接位；所述引线框架的基岛与所述芯片通过第一焊接位焊接，所述CLIP和所述芯片通过第二焊接位焊接，所述CLIP和所述引线框架的管脚在第三焊接位焊接。

3.根据权利要求2所述的一种芯片双面散热的封装方法，其特征在于：所述焊锡膏分为无铅焊锡膏和有铅焊锡膏，所述无铅焊锡膏金属粉末为SnAgSb，Sn的含量为60％～65％，Ag的含量...

【技术特征摘要】

1.一种芯片双面散热的封装方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种芯片双面散热的封装方法，其特征在于：所述焊接中，所述引线框架的基岛中部具有第一焊接位，所述芯片的源极上具有第二焊接位，所述引线框架的两个或三个相邻管脚部上具有第三焊接位；所述引线框架的基岛与所述芯片通过第一焊接位焊接，所述clip和所述芯片通过第二焊接位焊接，所述clip和所述引线框架的管脚在第三焊接位焊接。

3.根据权利要求2所述的一种芯片双面散热的封装方法，其特征在于：所述焊锡膏分为无铅焊锡膏和有铅焊锡膏，所述无铅焊锡膏金属粉末为snagsb，sn的含量为60％～65％，ag的含量为20％～25％，sb的含量为10％～20％；有铅膏金属粉末为pbsnag，pb的含量为88％～95.5％，sn的含量为2％～10％，ag的含量为0％～2.5％。

4.根据权利要求1所述的一种芯片双面散热的封装方法，其特征在于：所述焊接后的清洗先采用超声清洗，再使用等离子清洗；所述引线键合后的清洗采用等离子清洗。

5.根据权利要求4所述的一种芯片双面散热的封装方法，其特征在于：所述超声清洗采用水机清洗剂，所述水机清洗剂的成分为：有机溶剂含...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏大权，文晓东，唐鑫，唐正，周玉凤，朱海燕，徐向涛，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：