一种功率芯片、功率芯片制作方法及功率因数校正电路技术

本申请提供一种功率芯片、功率芯片制作方法及功率因数校正电路，该功率芯片包括：晶体管和二极管；框架，其包括相互独立的第一基岛和第二基岛，所述晶体管设置于所述第一基岛上，且所述晶体管的源极与所述第一基岛电性连接，所述二极管设置于所述第二基岛上，所述二极管的正端分别连接所述第二基岛和所述晶体管的漏极，所述二极管的负端作为输出端；金属引脚，设置于所述框架的侧方，以引出所述晶体管的栅极和所述输出端；封装体，用于覆盖所述第一基岛、所述第二基岛、所述晶体管以及所述二极管。本申请可有效减少PFC电路中器件的占板面积，提高器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路应用领域，尤其涉及一种功率芯片、功率芯片制作方法及功率因数校正电路。

技术介绍

1、传统的分立器件设计通常会占用较大的电路板面积，这不仅增加了电路设计的成本，也可能导致散热问题。因此，需要一种能够减小分立器件在功率因数校正(powerfactor correction，pfc)电路上的占板面积的解决方案。

技术实现思路

1、鉴于以上现有技术存在的问题，本专利技术提出一种功率芯片、功率芯片制作方法及功率因数校正电路，主要解决现有的功率器件占板面积大导致成本高的问题。

2、为了实现上述目的及其他目的，本专利技术采用的技术方案如下。

3、本申请提供一种功率芯片，包括：晶体管和二极管；框架，其包括相互独立的第一基岛和第二基岛，所述晶体管设置于所述第一基岛上，且所述晶体管的源极与所述第一基岛电性连接，所述二极管设置于所述第二基岛上，所述二极管的正端分别连接所述第二基岛和所述晶体管的漏极，所述二极管的负端作为输出端；金属引脚，设置于所述框架的侧方，以引出所述晶体管的栅极和所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述晶体管包括氮化镓高电子迁移率晶体管。

3.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述二极管包括碳化硅二极管。

4.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述第一基岛包括至少一个源电极，在完成封装后，通过所述源电极引出所述晶体管的源极。

5.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述第二基岛包括至少一个漏电极，所述晶体管的漏极通过键合线与所述第二基岛键合，以在完成封装后通过所述漏电极引出所述所述晶体管的漏极。

6.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种功率芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述晶体管包括氮化镓高电子迁移率晶体管。

3.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述二极管包括碳化硅二极管。

4.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述第一基岛包括至少一个源电极，在完成封装后，通过所述源电极引出所述晶体管的源极。

5.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述第二基岛包括至少一个漏电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈云乔，顾璐，成亮，张航，敖华阳，陈苗，简洋，周玉凤，王瀚，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：