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本申请提供一种功率芯片、功率芯片制作方法及功率因数校正电路，该功率芯片包括：晶体管和二极管；框架，其包括相互独立的第一基岛和第二基岛，所述晶体管设置于所述第一基岛上，且所述晶体管的源极与所述第一基岛电性连接，所述二极管设置于所述第二基岛上，...
该专利属于重庆平伟实业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆平伟实业股份有限公司授权不得商用。

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