一种DrMOS的双面散热结构及其制作方法技术

本申请提供一种DrMOS的双面散热结构及其制作方法，所述双面散热结构包括：金属框架；金属引脚，设置于所述金属框架外侧，并与所述金属框架分隔开；驱动芯片，设置于所述金属框架上；两个晶体管，其分别设置于所述金属框架上，并与所述驱动芯片电性连接，所述驱动芯片和所述晶体管通过键合线与所述金属引脚键合；散热片，跨接在所述两个晶体管背离所述金属框架的一侧。本申请可提高器件的散热性能，保证器件运行的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路应用领域，尤其涉及一种drmos的双面散热结构及其制作方法。

技术介绍

1、drmos(driver and mosfet)是一种集成电路封装技术，常用于dc-dc电源转换器和高功率电路中，drmos得到了广泛的应用。

2、随着信息技术的飞速发展，5g、大数据、云计算、人工智能、物联网等新兴技术对人们的生活带来了巨大变化。这些新技术及其应用无不依赖于处理器(cpu)卓越的数据处理能力及其他各方面性能的大幅提升，这对处理器的供电电源提出了更高的要求，现有的drmos产品在长时间高负载运行时可能会产生过多的热量，导致温度升高、性能下降甚至器件烧毁的问题。

技术实现思路

1、鉴于以上现有技术存在的问题，本专利技术提出一种drmos的双面散热结构及其制作方法，主要解决现有drmos器件散热性能不足的问题。

2、为了实现上述目的及其他目的，本专利技术采用的技术方案如下。

3、本申请提供一种drmos的双面散热结构，所述双面散热结构包括：金属框架；金属引脚，设置于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种DrMOS的双面散热结构，其特征在于，所述双面散热结构包括：

2.根据权利要求1所述的DrMOS的双面散热结构，其特征在于，所述双面散热结构还包括封装体，所述封装体包裹所述金属框架、所述驱动芯片、所述晶体管以及所述散热片，并露出所述金属框架的底部焊盘位以及所述散热片远离所述金属框架的一侧平面。

3.根据权利要求1所述的DrMOS的双面散热结构，其特征在于，所述两个晶体管与所述散热片互联形成半桥结构。

4.根据权利要求1所述的DrMOS的双面散热结构，其特征在于，所述双面散热结构还包括散热层，所述散热层设置于所述散热片背离所述金属框架的一侧。...

【技术特征摘要】

1.一种drmos的双面散热结构，其特征在于，所述双面散热结构包括：

2.根据权利要求1所述的drmos的双面散热结构，其特征在于，所述双面散热结构还包括封装体，所述封装体包裹所述金属框架、所述驱动芯片、所述晶体管以及所述散热片，并露出所述金属框架的底部焊盘位以及所述散热片远离所述金属框架的一侧平面。

3.根据权利要求1所述的drmos的双面散热结构，其特征在于，所述两个晶体管与所述散热片互联形成半桥结构。

4.根据权利要求1所述的drmos的双面散热结构，其特征在于，所述双面散热结构还包括散热层，所述散热层设置于所述散热片背离所述金属框架的一侧。

5.根据权利要求4所述的drmos的双面散热结构，其特征在于，所述散热层包括金属氧化层或导热涂层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：成亮，陈云乔，敖华阳，张航，顾璐，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：