红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片及其电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片，其由底层依次向上层叠有P电极(1)、P砷化镓外延层(2)、N砷化镓外延层(3)、N砷化镓衬底层(4)、N电极(6)，该N电极(6)全部覆盖于N砷化镓衬底层(4)上而形成全电极结构。与现有类似的技术相比，可以省去较为复杂的半导体光刻工艺，提高了生产效率以及降低了生产成本。焊线时能充分与焊接导线连接(接触面积大)，提升了焊线品质。芯片在20mA条件下的正向电压(VF)非常稳定，且波动较小，基本都在1.2～1.25V之间。可减少分选工序，而直接与LED芯片一起封装，大大降低成本。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种新型结构的红外η面全电极芯片，该结构芯片可作为分压二 极管并与四元红色芯片串联使用，以起到分压保护作用。
技术介绍
现阶段的LED全彩系(RGB)各类封装产品中，由于芯片自身的材料特征，在20mA 的条件下，红光芯片的正向电压(VF)通常比蓝、绿光芯片的正向电压要低1.2V左右。而此 三款芯片通常是并联恒压使用，为保证蓝、绿光芯片的正向电压的稳定，则红光芯片的正向 电压就会偏高，以致该款芯片可靠性下降。
技术实现思路
本技术为了克服上述现有技术中存在的问题，提出一种可作为分压二极管并 与四元红色芯片串联使用，以起到分压保护作用的红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片 及其电路。本技术提出的红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片，其由底层依次向上层 叠有P电极、P砷化镓外延层、N砷化镓外延层、N砷化镓衬底层、N电极，该N电极全部覆盖 于N砷化镓衬底层上而形成全电极结构。本技术还提出一种设有红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片的电路，其包 括由一红光芯片和一红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片串接而成的串联电路、与该串 联电路并联的绿光芯片或蓝光芯片。还可以是与该串联电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外ＧａＡｓ基Ｎ面全电极分压二极管芯片，其特征在于，由底层依次向上层叠有Ｐ电极（１）、Ｐ砷化镓外延层（２）、Ｎ砷化镓外延层（３）、Ｎ砷化镓衬底层（４）、Ｎ电极（６），该Ｎ电极（６）全部覆盖于Ｎ砷化镓衬层（４）上而形成全电极结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴质朴，何畏，
申请(专利权)人：深圳市奥伦德光电有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94