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本实用新型公开了一种红外GaAs基N面全电极分压二极管芯片，其由底层依次向上层叠有P电极(1)、P砷化镓外延层(2)、N砷化镓外延层(3)、N砷化镓衬底层(4)、N电极(6)，该N电极(6)全部覆盖于N砷化镓衬底层(4)上而形成全电极结构。...
该专利属于深圳市奥伦德光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市奥伦德光电有限公司授权不得商用。

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