一种高效半导体二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高效半导体二极管，包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线焊接，聚酰亚胺涂层胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个高效半导体二极管除铜引线两端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。本实用新型专利技术的有益效果是：在同类产品的多层硅芯片叠焊的结构上，将其中硅橡胶钝化层设计为聚酰亚胺涂层钝化，这样就可使产品的高温漏电流在150℃时降低至10uA以下，因此本实用新型专利技术不仅有耐压高的特点，而且具有恢复时间快、效率高、节能等特点。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件，特别涉及一种高效半导体二极管。
技术介绍
普通型超高压半导体整流二极管，它是一种半导体整流器件，广泛应用于各种高频电源、汽车等消费电子、消毒器、电脑显示器、负离子发生器、以及高档的电蚊拍等设施中。其输出电流从20毫安到1000毫安分类不等，反向击穿电压据芯片规格不同有1000V、 2000V、3000V、4000V、5000V等类别。目前，产品反向电压可以达到4000V及5000V的标准， 因用硅橡胶做钝化层，其工作温度一般在25°C左右，不能满足高温环境下工作的要求。聚酰亚胺涂层胶能耐500°C的高温要求，设计聚酰亚胺涂层胶替代硅橡胶作为钝化层。
技术实现思路
针对目前产品不耐高温等缺陷，本技术公开了一种高效半导体二极管，包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线焊接，聚酰亚胺涂层胶钝化层将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中， 而整个高效半导体二极管除铜引线两端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。本技术的有益效果是在同类产品的多层硅芯片叠焊的结构上，将其中硅橡胶钝化层设计为聚酰亚胺涂层钝化，这样就可使产品的高温漏电流在150°C时降低至IOuA 以下，因此本技术不仅有耐压高的特点，而且具有恢复时间快、效率高、节能等特点。附图说明图1为本技术结构图。具体实施方式为了使本技术更容易被理解，以下结合附图和具体实施方式对本技术做更详细说明。参阅图1，一种高效半导体二极管，包括多层硅芯片3、两铜引线2、环氧塑封体1， 多层硅芯片3位于两铜引线2端面之间，通过焊料与铜引线2焊接，聚酰亚胺涂层胶钝化层 5将两铜引线2端面间的多层硅芯片3以及焊料层4包裹在其中，而整个高效半导体二极管除铜引线2端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体1内。铜引线2的端头为其与多层硅芯片3焊接的端面的对应的另一端。其中，所述钝化层为聚酰亚胺涂层胶。权利要求1. 一种高效半导体二极管，其特征在于包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线焊接，聚酰亚胺涂层胶钝化层将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个高效半导体二极管除铜引线两端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。专利摘要本技术公开了一种高效半导体二极管，包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线焊接，聚酰亚胺涂层胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个高效半导体二极管除铜引线两端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。本技术的有益效果是在同类产品的多层硅芯片叠焊的结构上，将其中硅橡胶钝化层设计为聚酰亚胺涂层钝化，这样就可使产品的高温漏电流在150℃时降低至10uA以下，因此本技术不仅有耐压高的特点，而且具有恢复时间快、效率高、节能等特点。文档编号H01L23/29GK201975395SQ201020563889公开日2011年9月14日 申请日期2010年10月18日 优先权日2010年10月18日专利技术者陈章林 申请人:重庆平伟实业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种高效半导体二极管，其特征在于：包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线焊接，聚酰亚胺涂层胶钝化层将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个高效半导体二极管除铜引线两端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈章林，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：85