【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体器件，特别涉及一种超高压半导体整流器。
技术介绍
普通型超高压半导体整流二极管，它是一种半导体整流器件，广泛应用于各种高频电源、汽车等消费电子、消毒器、电脑显示器、负离子发生器、以及高档的电蚊拍等设施中。其输出电流从20毫安到1000毫安分类不等，反向击穿电压据芯片规格不同有1000V、 2000V、3000V、4000V、5000V等类别。目前，产品反向电压可以达到4000V及5000V的标准， 但因晶粒重叠层数过多，从而生产成本一直居高不下。
技术实现思路
针对上述工艺条件要求高导致成本过高的问题，本技术公开了一种超高压半导体整流器，该超高压半导体包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线端面焊接，硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内，其中，晶粒尺寸为36mil。本技术的有益效果是结构简单，并将原设计43mil晶粒更改为36mil晶粒， 因此本技术不仅有耐压高的特点，而且以满足工艺条件降低成本为目的，提高产品市场竞争能力。附图说明图1为本技术结构图。具体实施方式为了使本技术更容易被理解，以下结合附图和具体实施方式对本技术做更详细说明。参阅图1，一种超高压半导体整流器，包括多层硅芯片3、两铜引线2、环氧塑封体 1，多层硅芯片3位于两铜引线2端面之间，通过焊料与两铜引线2端面焊接，硅橡胶5将两铜引线2端面间的多层硅芯片3以及焊料层4包裹在其中，形成硅胶层，而整个超高压半导体整流器除两铜引线2...
【技术保护点】
１．一种超高压半导体整流器，其特征在于：包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线端面焊接，硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内，其中，晶粒尺寸为３６ｍｉｌ。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王艳明，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：85
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