【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种有机高分子材料的生产方法，特别是涉及一种可溶性聚酰亚胺的 生产工艺。
技术介绍
聚酰亚胺(Polyimide，PI)是一种很好的工程材料，因其在性能和合成方面的突 出特点，不论是作为结构材料或是功能材料，在航空、航天、微电子、纳米、液晶、分离膜等领 域都得到了广泛的应用。近年来，对聚酰亚胺的研究、开发和利用也很活跃，对聚酰亚胺性 能的研究也很多，从可溶性方面、复合材料等方面也都在进行着研究。在微电子器件领域， 聚酰亚胺可作为绝缘层、缓冲层、保护层等功能，电子器件的电极材料一般为金属铝，因此， 在长期的使用过程中，铝电极会被腐蚀从而造成器件性能的改变。为此，有的采用在铝电 极上淀积一层钝化层(如氮化硅)的办法来保护铝电极，有的则直接使用贵金属(如金、银 等)作为电极。当前聚酰亚胺导电薄膜大多通过在聚酰亚胺成膜之前，在溶剂中添加导电 粒子或纳米材料(如碳纳米管等)，然后经亚胺化后生成。或者是在聚酰亚胺薄膜成膜以后 再经表面处理，通过化学方法将金属掺入聚酰亚胺，在其薄膜表面形成导电薄膜。对前者来 说，由于采用有机溶剂，导电粒子或纳米材料有可能因为分布...
【技术保护点】
１．一种可溶性聚酰亚胺的生产工艺，其特征在于：它包括以下步骤：（１）聚酰胺酸溶液的配制：将均苯二酐ＰＭＤＡ和二苯醚二胺ＯＤＡ按１∶１的比例在非质子溶液中在－２０℃～室温的温度下反应，反应时将均苯二酐以固态形式加入到二苯醚二胺的溶液中，同时开始搅拌，生成的聚酰胺酸溶液清澈透明；（２）Ｐ型硅衬底的清洗：采用工业标准湿法清洗工艺对硅衬底进行清洗，用氮气吹干；（３）Ｐ型硅衬底的氧化：依以下步骤对Ｐ型硅衬底进行氧化，①１０００℃温度下用干氧纯氧氧化３小时，②在１０００℃温度下用湿氧纯氧氧化３小时，③在１０００℃温度下用干氧纯氧氧化３小时，顺序生长二氧化硅氧化层，厚度为７００－９００ｎ...
【技术特征摘要】
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