集成电路中的缺陷监测用结构制造技术

本实用新型专利技术提出一种集成电路中的缺陷监测用结构，该结构包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的凹陷状结构，其中，该结构呈线状结构或线形分布的点状结构或其组合，所述结构中线状结构或线形分布的点状结构或其组合呈任意方向分布和排列，所述凹陷状结构形成于一个曝光区中。本实用新型专利技术提出的集成电路中的缺陷监测用结构及其制造方法，解决现有技术中在设备校准、检测、监控时无法直接对划痕缺陷进行分类校准的问题。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路
，特别涉及一种集成电路中的缺陷监测用结构。
技术介绍
随着微电子工艺的不断发展，集成电路规模如莫尔定律所述成几何级数增长。而今深亚微米乃至纳米工艺技术的不断投入应用，使集成电路制造遇到越来越多的困难。由于线宽越来越小，制造过程中缺陷对成品率的影响也越来越大。因此缺陷的检测对集成电路制造过程是至关重要的。业内主要的缺陷检测设备厂家都会制造标准片以校准设备、监测设备的稳定性和可靠性。现有的标准片的缺陷类型主要是颗粒(光片)和制作于图形上的单个缺陷(图形片)。这些标准的缺陷结构能对检测监控缺陷检测设备的能力起很大的帮助。然而目前尚无一种能方便地将划痕分类的标准缺陷，因为划痕具有较多的存在形态和方向的不确定性，现有技术需要若干个曝光区(die)连接起来，才能得到一个具有划痕特征的测试结构， 所以现有技术的标准片仅具有特定形态和方向的划痕缺陷，有很大的局限性，使缺陷检测设备的检测能力无法得到很好的检验。
技术实现思路
本技术提出一种集成电路中的缺陷监测用结构，用一种新型的划痕标准片， 解决现有技术中在校准、检测、监控设备时无法直接对划痕缺陷进行分类校准的问题。为了达到上述目本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种集成电路中的缺陷监测用结构，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的凹陷状结构，其中，该结构呈线状结构或线形分布的点状结构或其组合，所述结构中线状结构或线形分布的点状结构或其组合呈任意方向分布和排列，所述凹陷状结构形成于一个曝光区中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：储佳，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31