晶圆表面局部定位采样方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶圆亲水表面、疏水表面局部定位采样方法。对工艺处理过程中完全亲水晶圆，或者表面做不到完全疏水面的晶圆、以及因材质的缘故不会成为疏水面的晶圆，采用气相包裹法局部定位采样方法，在采样时避免了因采样液滴在亲水晶圆表面铺展导致采样任务无法完成、采样后采样液滴无法回收的难题。本发明专利技术的采样除上述的半导体晶圆表面外，也适用于太阳能面板、液晶屏、以及高纯度材质表面采样。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种亲水面、疏水面，特别涉及一种采用气相包裹法对亲水面、疏水面晶圆的局部定位采样方法。
技术介绍
半导体制造中常常发生晶圆表面局部污染，导致这些局部面上的IC品质不良甚至报废。因此，晶圆表面局部采样将成为半导体制造中保障品质的一项重要措施。以往的浸泡采样法把整片晶圆浸泡在纯水或药剂中采样，对整块晶圆中不需要采样的部分也进行了采样，采样精度低、效率差，而且需要消耗较多的纯水或药剂，对采样后废液进行处理需要花费额外的成本。本专利技术提出了一种局部定位采样方法，可以适用于亲水性、疏水性表面晶圆。迄今为止，局部采样方法要求晶圆表面具备完全疏水性，对于未经处理100%亲水性表面的晶圆或者具有部分表面亲水性的晶圆，这种局部定位采样方法并不适用。在使用疏水面晶圆的局部定位采样方法时，亲水采样药剂液滴和疏水性晶圆表面接触，采样液滴在晶圆表面不浸润，可以完成采样任务并且被回收。当亲水采样药剂液滴和亲水性晶圆表面接触时，采样液滴在晶圆表面铺展，使采样任务无法进行下去，并且采样后的采样液滴无法回收，导致采样失败。
技术实现思路
针对亲水性晶圆表面采样技术难题，本专利技术提出一种新颖的气相包裹法本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体晶圆表面局部定位采样方法，其特征在于：利用定位采样触头对晶圆表面进行采样；采样步骤如下：（１）采样前对晶圆表面进行数据测试，确定污染物的分布区域；（２）定位采样触头输出采样药液；（３）采样药液对测试到的晶圆表面污染物分布区域进行采样；（４）采样后回收含污染物的药剂；所述定位采样触头为双层结构，在触头内层结构安装采样液输出管道和采样液回收管道；外层结构为一套管，套装在触头内层结构的外部周围，并与内部结构之间具有缝隙，所述缝隙形成气体导管；对１００％亲水面或有局部亲水面的晶圆表面进行采样操作时，在所述气体导管中注入高速气体；对１００％疏水性晶圆表面进行采样操作时，所述气体导管中不注入...

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆表面局部定位采样方法，其特征在于利用定位采样触头对晶圆表面进行采样；采样步骤如下(1)采样前对晶圆表面进行数据测试，确定污染物的分布区域；(2)定位采样触头输出采样药液；(3)采样药液对测试到的晶圆表面污染物分布区域进行采样；(4)采样后回收含污染物的药剂；所述定位采样触头为双层结构，在触头内层结构安装采样液输出管道和采样液回收管道；外层结构为一套管，套装在触头内层结构的外部周围，并与内部结构之间具有缝隙，所述缝隙形成气体导管；对100%亲水面或有局部亲水面的晶圆表面进行采样操作时，在所述气体导管中注入高速气体；对100%疏水性晶圆表面进行采样操作时，所述气体导管中不注入气体；所述采样触头安装触头臂上，触头臂依照采样前的数据测试所得污染分布数据结果在采样开始时移动至污染区域。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于定位采样触头中的采样药剂由计量泵提供； 采样药剂在计量泵作用下依靠液体的表面张力在触头顶端形成液滴结构。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于采样过程在上下方向移动自如的升降器上进行。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于机械手把晶圆放置于所述升降器上；放置后升降器下降，从而把晶圆设置于回转自如的支承晶圆的盘体上；同心调整机构把晶圆圆心对准盘体圆心；晶圆旋转并带动固定在盘本体下侧的三个转轮一起...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶伟清，
申请(专利权)人：叶伟清，
类型：发明
国别省市：31